记忆电阻器真的会取代现在的存储器么?
长期来讲会是有这个趋势，目前相变存储器(PCRAM)的研究比阻变存储器(RRAM)要成熟一些。当然PCRAM也可以看做RRAM的一种。这两种技术主要问题是机理上都不成熟。虽然理论密度可以高于flash，但还没有可靠工艺可以实现。不过他们与cmos工艺的兼容性还是比较好的，PCRAM相当于加一层金属，RRAM相当于加一层氧化层。希望这两项技术国内可以跟得上世界领先水平。
■网友
我觉得这个是趋势吧…坐等专家分析……
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