全省造芯热背后

全省造芯热背后:中国芯片恨铁不成钢 , 举国之力用错地方自2017年以来 , 芯片的国产替代愿望从未如此强烈 。 近日 , 央视财经援引国务院发布的相关数据显示 , 中国芯片自给率要在2025年达到70% , 而2019年我国芯片自给率仅为30%左右 。全省造芯热背后
6年40%的自给率提升空间 , 按2019年我国芯片进口额为3040亿美元的保守计算 , 每年的市场蛋糕高达1200多亿美元 。 如此巨大的市场诱惑下 , 造芯浪潮自2017年奔涌而起 , 晶圆厂在全国遍地开花 , 几乎各省皆有芯片项目上马 。 国际半导体设备与材料产业协会(SEMI)发布的报告显示 , 2017年至2020年间投产的半导体晶圆厂约有62座 , 其中26座设于中国 , 占全球总数的42% 。然而 , 这26座晶圆厂 , 目前已知有成都格芯、南京德科码、德淮半导体和武汉弘芯4座晶圆厂 , 未到开花结果时即宣告停摆 , 给全省造芯热泼下四盆冷水 , 预示着这股热潮背后有着不可忽视的弊端 。不被看好的“举国之力”全省造芯这种模式 , 有一个接地气的说法:举国之力 。 这方面 , 我国有原子弹的成功先例 。 原子弹属于军用产品 , 军用产品只要满足“能用”即算合格 , 但芯片属于民用产品 , 在摩尔定律跳跃的鞭子下 , 唯有冲到行业前列才有肉吃 , 仅仅“能用”的话 , 汤都喝不到 。贵为全球第五的芯片制造厂中芯国际 , 2019年毛利率是全球第一的台积电的45.23% , 净利润率却只有台积电的17.41% , 净利润额方面则更为悬殊 , 仅有台积电的1.56% , 相当于台积电每赚100元 , 中芯国际只能赚1元5毛6分钱 , “吃肉的”与“喝汤的”差距就是这么大 。全省造芯热背后
正因为如此 , 举国之力并不被芯片业内看好 。台积电创始人张忠谋在接受媒体采访时就曾表示 , 大陆因为人才和经验方面的劣势 , 在晶圆代工上没有优势 , 无法超越台积电 , 应该将发力点放到芯片设计上 。全省造芯热背后
即使国内的芯片业内人士同样不看好举国之力 , 尤其是它的翻版“全民造芯” 。8月26日 , 中国半导体行业协会副理事长、原清华大学微电子所所长魏少军在接受21世纪经济报道采访时表示 , 在全球化产业链中 , 不要尝试什么都自己做 , 不能一讲芯片受制于人就全民一窝蜂地大搞芯片 , 更不能整天想着如何在光刻机、EDA等环节上推进国产替代 , 未来半导体行业的全球化布局和开放合作仍然是时代的主流 , 对此必须有清醒的认识 。全省造芯热背后
而南京德科码半导体、成都格芯、德淮半导体和武汉弘芯的先后停摆 , 似乎正好印证了张忠谋和魏少军对举国之力的负面看法 。不过 , 国内这四座芯片厂的停摆 , 并不能证明举国之力是花架子 , 相反 , 它在日本和美国已有成功的先例 。日本半导体以“举国之力”打败美国1950年代 , 出于政治需要 , 美国对日本的科技产业实行扶持政策 , 日本公司可以轻松买到美国的最新发明专利授权 。 此时 , 日本政府顺势颁布《外国投资法》 , 对高科技产业进行政策引导 。1953年 , 索尼创始人盛田昭夫花数万美元买到了贝尔实验室的晶体管专利 , 并和美国公司前后脚开发出晶体管收音机 , 为索尼公司的成长奠定了第一块基石 。很快 , 日本又对想打入日本市场的美国半导体公司提出两点强制性要求:必须与日本企业合资;必须公开芯片专利 。 日本自此走上一条“引进赶超”的发展道路 。但1960年代 , 随着日本的电子手表、计算器、家电等横扫美国市场 , 日美发生贸易摩擦 , 美国停止对日本的芯片技术授权 , 美国投资也开始退出日本 。 “引进赶超”道路被截断了 。正在茁壮成长的日本半导体产业遭到致命打击 , 市场份额下跌 , 开始大规模退出市场 。 值此危难之际 , 日本政府在1970年代中期果断出手 , 作为投资方和组织者 , 以举国之力组织了NEC、日立、三菱、富士通和东芝等日本五家龙头企业 , 以及日本通产省电气技术实验室、电子技术综合研究所、日本电信电话公社等 , 启动VLSI(超大规模集成电路)开发项目 。 数年下来 , 项目大获成功 , 取得了1200多项核心专利 , 为日本在DRAM芯片产业的大发展奠定技术基础 。有了核心技术积累 , 此后十余年 , 日本半导体产业核心元件从对美国依赖度达80% , 逆变为国产化率70% , 日本半导体产业走上了“自主研发”的道路 , 并在1980年代中期打败美国 , 成为全球半导体第一强国 。而美国被日本一顿胖揍后 , 一改半导体领域由私人投资的做法 , 调头学习日本的“举国之力” 。美国学日本举国之力逆转竞争劣势1987 年 , 美国政府联合以英特尔为首的13家半导体公司 , 启动了SEMATECH计划 , 以帮助美国半导体产业重回世界第一 。 SEMATECH计划和日本的VLSI开发项目不同 , 不是技术攻坚 , 而是研发资源整合 。该计划收获两大成果:一是集中研发 , 减少重复浪费 , 并在半导体行业内共享研发成果 , 为企业减轻负担;二是把半导体制造技术模块化 , 使设计与制造分离成为可能 , 促进了资金规模较小的芯片设计公司大发展 。早在1980年 , 美国国防部就在南加州大学投资建立了MOSIS(MOS Implementation System)项目 , 目的就是降低专用芯片(ASIC)设计成本 , 以弥补和日本竞争时的工艺技术短板 。MOSIS项目采用多品种掩膜技术模式 , 整合了全美芯片设计资源 , 还整合了各半导体厂家的最新工艺技术(掩膜版和流片) , 将几十种乃至上百种不同设计 , 做到同一套掩膜版上 , 并放在同一块晶圆上流片 , 大幅降低了芯片设计与流片成本 。 仅掩模版这一环节 , 就将成本从超过5万美元降到最低400美元 , 降幅最高达到99.2% 。MOSIS项目使美国芯片的整个研发成本降低到了原来1/50 , 使美国芯片设计迎来大爆发 。美国在芯片资源整合上使出的举国之力 , 直接导致整个半导体产业生态发生变化 , 设计和生产分离成为行业新趋势 , 直接催生了新的商业模式——无晶圆厂模式(Fabless) 。 台积电即受惠于此 , 抓住这一机遇 , 乘势而起 。收获最大的当然是美国半导体业 , 数百家芯片设计公司如野草滋生 , 涌现出英伟达(NVIDIA)、高通(Qualcomm)、博通(Broadcom)和赛灵思(Xilinx)等细分行业的领头羊设计公司 。 日本的芯片公司则固守设计和制造一体化的垂直模式 , 加上政府认真贯彻美国逼迫日本签订的《日美半导体协议》 , 搞限产、限价 , 帮助美国捆住了日本半导体企业的手脚 。1995年 , 美国超越日本 , 重回全球半导体第一位置 。可见 , “举国之力”本身没有问题 , 问题的重点是“举国之力”该如何发力 。发错了力的“举国之力”前面说的南京德科码、德淮半导体和武汉弘芯等项目 , 恰恰是“举国之力”发错了力 , 它们都有一个共同的运营模式 , 即先由发起人引入政府基金 , 公司成立前后 , 宣传发力放水 , “弥补XX缺芯不足”、“填补国内XX空白”等炫目口号喷涌而出 。 公司成立后 , 一边建设一边期望引进大基金投资 , 借助大基金品牌效应 , 带动社会风险资本投入 , 从而填补上项目的资金缺口 。这几个项目之所以夭折 , 直接原因是大基金并未如期入局 , 社会风险资本又在局外驻足观望 , 结果资金链断裂 , 项目停摆 。


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