「勇哥科技」5nm芯片实际表现比理论还猛 晶体管密度大幅度增加
[PConline]外媒报道 ， 关于5nm芯片工艺的发展有了新的进展 ， 其晶体结构侧视图曾在一篇论文中披露 。 根据专业机构分析预测 ， 台积电5nm的栅极间距为48nm ， 金属间距则是30nm ， 鳍片间距25-26nm ， 单元高度约为180nm ， 按照这个计算 ， 台积电5nm的晶体管密度将是每平方毫米1.713亿个 。
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目前尚未公布5nm工艺的具体指标 ， 只知道采用的是大规模集成EUV极紫外光刻技术 。 台积电已在本月开始5nm工艺的试产 ， 第二季度内投入规模量产 ， 苹果A14、华为麒麟1020、AMD Zen 4等处理器都会使用它 ， 而且消息称初期产能已经被客户完全包圆 ， 特别是苹果占了最大头 。
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而对比7nm工艺的每平方毫米9120万个 ， 5nm工艺晶体管密度得到大幅度提升 ， 每平方毫米1.713亿个足足提升了88% ， 比当初台积电宣传的理论提升84%还要强上一些 。
【「勇哥科技」5nm芯片实际表现比理论还猛 晶体管密度大幅度增加】当然 ， 这目前也只是根据一些资料进行的分析和评估 ， 最后还得看批量成品表现究竟怎么样 。
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