阈值电压公式。施密特触发器两个阈值电压叫啥? _阈值电压

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本篇文章给大家谈谈阈值电压,以及阈值电压公式对应的知识点，希望对各位有所帮助，不要忘了收藏本站！
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施密特触发器两个阈值电压叫啥
阈值电压是什么？怎么理解？
nMOS的阈值电压是多少?
阈值电压为什么是负温
阈值电压和饱和电流关系
MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少？

Q1：施密特触发器两个阈值电压叫啥
施密特触发器两个阈值电压叫正向阈值电压和负向阈值电压。在输入信号从低电平上升到高电平的过程中使电路状态发生变化的输入电压称为正向阈值电压（Vt+）。在输入信号从高电平下降到低电平的过程中使电路状态发生变化的输入电压称为负向阈值电压(Vt-) 。
Q2：阈值电压是什么？怎么理解？
阈值电压通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压。
在描述不同的器件时具有不同的参数。如描述场发射的特性时，电流达到10mA时的电压被称为阈值电压。
如MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，它是MOSFET的重要参数之一。
MOS管的阈值电压等于背栅（backgate）和源极（source）接在一起时形成沟道（channel）需要的栅极（gate）对source偏置电压。如果栅极对源极偏置电压小于阈值电压，就没有沟道。
扩展资料
偏置电压指晶体管放大电路中使晶体管处于放大状态时，基极-射极之间，集电极-基极之间应该设置的电压。因为要使晶体管处于放大状态，其基极-射极之间的pn结应该正偏，集电极-基极之间的pn应该反偏、
因此，设置晶体管基射结正偏，集基结反偏，使晶体管工作在放大状态的电路，简称为偏置电路。直流偏置电压是指晶体管放大电路中使晶体管处于放大状态时，基极-射极之间及集电极-基极之间应该设置的电压。
参考资料：百度百科-阈值电压
参考资料：百度百科-偏制电压

Q3：nMOS的阈值电压是多少?
nMOS：Vth=0.7V ，pMOS：Vth=-0.8V 。
MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。由于刚出现强反型时，表面沟道中的导电电子很少，反型层的导电能力较弱，因此，漏电流也比较小。
在实际应用中往往规定漏电流达到某一值( 如50μA)时的栅源电压为阈值电压。从使用角度讲，希望阈值电压Vm小一些好。阈值电压是决定MOSFET能否导通的临界栅源电压，因此，它是MOSFET的非常重要参数。
扩展资料：
对于理想的增强型MOSFET（即系统中不含有任何电荷状态，在栅电压Vgs = 0时，半导体表面的能带为平带状态）。
阈值电压可给出为VT = ( SiO2层上的电压Vi ) + 2ψb = －[2εεo q Na ( 2ψb )] / Ci + 2ψb ,式中Vi ≈ (耗尽层电荷Qb) / Ci，Qb =－( 2εεo q Na [ 2ψb ] )，Ci是单位面积的SiO2电容，ψb是半导体的Fermi势（等于本征Fermi能级Ei与Ef之差）。
参考资料：百度百科-晶体管阈值电压

Q4：阈值电压为什么是负温
阈值电压是负温则是温度升高。根据查询相关公开信息：阈值电压具有负温度系数，这意味着随着温度升高，阈值电压将降低，负温度系数会影响开关延时时间。
Q5：阈值电压和饱和电流关系
阈值越低，饱和电流越小。
阈值电压越低，因为饱和电流变小，所以速度性能越高，但是因为漏电流会变大，因此功耗会变差。阈值越低，饱和电流越小，延时越小，但是漏电流会变大。
器件的阈值电压会随着沟道长度变小而变小，而饱和电流会随着沟道长度的变小而增大。
Q6：MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少？
阈值电压受衬偏效应的影响，即衬底偏置电位，零点五微米工艺水平下一阶mos spice模型的标准阈值电压为nmos0.7v pmos负 0.8，过驱动电压为Vgs减Vth 。
MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，MOSFET的重要参数之一。
MOS管的阈值电压等于背栅和源极接在一起时形成沟道需要的栅极对source偏置电压。如果栅极对源极偏置电压小于阈值电压，就没有沟道。
扩展资料：
PMOS的工作原理与NMOS相类似。因为PMOS是N型硅衬底，其中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴，源漏区的掺杂类型是P型。