中年|松山湖材料实验室：自主设计建设的SiC外延片研发产线通过验收 |实验室|研发|

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据化合物半导体市场了解，昨（13）日松山湖材料实验室官方微信公众号发布消息称其自主设计建设的SiC外延片研发产线通过验收！根据松山湖材料实验室透露，这条自主建设的SiC外延片研发产线历经近两年的努力。 7月底，验收专家组对团队的外延设备及外延片质量进行了技术验收。验收结果表示，该外延设备的生长速度可达30-60微米/小时。对100微米外延片，其背景载流子浓度低于1×1014cm-3 ，表面粗糙度低于0.25 nm ，膜厚均匀性偏差优于1% ，载流子浓度均匀性偏差优于7% ，表面缺陷密度最低可达0.05/cm2 。

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【中年|松山湖材料实验室：自主设计建设的SiC外延片研发产线通过验收】图片来源：松山湖材料实验室
验收专家组认为SiC及相关材料团队所生产的SiC外延片已经满足各项验收指标，松山湖材料实验室已经具备对外提供合格SiC外延片的能力。

目前高质量的SiC厚膜外延技术被Cree（美国）、英飞凌（德国）、昭和电工（日本）等国际著名公司垄断。松山湖材料实验室的SiC外延设备顺利验收和研发产线的成功建成也标志我国在Sic外延上的技术突破，大力发展SiC厚膜外延技术可弥补我们与国外的技术差距，避免在材料上形成新的“卡脖子”问题，为我国第三代半导体产业的快速发展提供有力支撑和保障。
文稿来源：化合物半导体市场整理
【来源：化合物半导体市场】
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中年|松山湖材料实验室：自主设计建设的SiC外延片研发产线通过验收

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