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黑白科技|盛名之下其实难副：活在台积电阴影下的中芯国际何以向未来？( 四 )


黑白科技|盛名之下其实难副：活在台积电阴影下的中芯国际何以向未来？
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反观中芯国际 ， 在遭受打击之后的几年做了什么？我们在前述中已有说明不再赘述 。
那么是什么造成了如此不同的境遇？究其原因 ， 还是企业具备的自主研发体系和创新以及对于产业高瞻远瞩的判断 。 而这才是中芯国际目前最为缺乏和未来最大的挑战 。
所以 ， 真的没有必要将中芯国际目前的14纳米而过分亢奋 ， 甚至傲娇 ， 它只不过是5年前三星14纳米桥段的一个”翻版”而已 。
要想成为“国之重器” ， 中芯国际还有多远？
此次中芯国际上市之后 ， 业内和诸多券商纷纷给出极高的评价和预期 ， 甚至有的称中芯国际为“国之重器” 。 而论据基本上是以中芯国际现在的14纳米作为与台积电差距缩小的依据（代差缩小为3.5年） 。 事实真的如此吗？
如果我们没有理解错的话 ， 作为“国之重器”是不是应该以目前相关产业中的最高标准为准呢？
我们先以最好理解的制程代差为例 ， 来看看产业中的其他主流厂商的进展 。
当今年中芯国际尚在14纳米产能爬坡之时 ， 英特尔、台积电、三星的10纳米、5纳米均已经量产 ， 尤其是台积电的5纳米即将被大规模应用于苹果的iPhone12的A14、高通骁龙875以及华为的麒麟1020等旗舰级手机芯片上 。
黑白科技|盛名之下其实难副：活在台积电阴影下的中芯国际何以向未来？
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至于2021年和2022年 ， 英特尔、台积电、三星将主攻7纳米和3纳米并量产 。
黑白科技|盛名之下其实难副：活在台积电阴影下的中芯国际何以向未来？
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相比之下 ， 目前中芯国际尚未有14纳米以下制程的技术路线和规划 。 如果我们按照14纳米之后的7纳米、5纳米和3纳米为三代 ， 以平均每代3.5年的代差计算 ， 中芯国际的差距是多少？恐怕一算便知 。
如果说上述是显性的代差差距 ， 那么隐性的差距 ， 即同一代的制程 ， 因为防漏电、改善良率等细微技术的差距 ， 依然会造成在实际应用中大相径庭的表现 。
以前述抢走台积电苹果iPhone6s的A9处理器制造订单的三星14nmFinFET制程为例 ， 其在性能和续航表现上均不及台积电的16nmFinFET制程 ， 加之良品率低于台积电 ， 最终引发了苹果iPhone的“芯片门”事件 ， 而台积电借此收复了部分被抢夺的订单 。
对此 ， 有业内分析称 ， 由于半导体FinFET技术与过去2D平面技术的经验不同 ， FinFET无论在制程、设计、IP与电子设计自动化(EDA)工具各方面都必须经过克服众多挑战才能成熟 ， 就结果来看 ， 三星似乎尚未能成熟驾驭FinFET这项新技术 ， 尤其是良率与漏电控制上 。 三星虽然挖走了台积电FinFET技术的战将（意指梁孟松及其团队） ， 但高阶主管通常只记得大方向 ， 像诸如防漏电及改善良率等细节技术上的创新并未掌握 ， 而这也是台积电能够始终领先业内的重要原因之一 。
同样 ， 在中芯国际上 ， 也发生过类似的事情 。 有报道称 ， 在2015年 ， 紫光展锐曾向中芯国际订购了大约5万块3G芯片原型 ， 当时中芯国家采用的是40纳米技术 ， 而台积电早在7年前就已经推出类似技术 。 尽管比台积电晚了7年 ， 按理说应该是很成熟的技术了） ， 但这些芯片分批生产 ， 每批仅为2500块 ， 且经常出现不合格产品 。 相较之下 ， 台积电的最高日产量为50万块 。
又如 ， 中芯国际的28纳米制程 ， 虽然早在2015年就已经所谓的成功量产 ， 但实际情况是 ， 低阶28纳米工艺多晶硅制程的良品率只有60% ， 而高阶28纳米工艺高介电常数金属栅极制程的良品率更是只有40% ， 根本无法满足客户的需求（例如高通的410和425处理器当时采用的就是中芯国际的28纳米制程） 。
为此 ， 2017年接棒中芯国际CEO的梁孟松和其所率的台籍、韩籍团队不得不用接近一年的时间来提升28纳米的良品率 ， 虽然最终就将低阶28纳米工艺多晶硅制程的良品率从60%大幅提升至85%以上 ， 高阶28纳米工艺高介电常数金属栅极制程的良品率翻倍提升至80%以上 。 但彼时的中国台湾联华电子位于厦门翔安区火炬高新区的中国大陆分公司联芯集成电路制造（厦门）有限公司（厦门联芯）已于同年(2018)二月提前于中芯试产28纳米高介电常数金属栅极制程 ， 其良品率更是高达98% ， 而台积电南京厂也提前半年于同年5月量产属于第25代的16纳米制程 。 在竞争对手全都提前量产 ， 良品率或是高于自己 ， 或是技术比自己先进的情况下 ， 中芯国际的28纳米制程虽然质量稳定了 ， 但已经是毫无优势可言 ， 几乎抢不到任何订单 。


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