黑白科技|盛名之下其实难副:活在台积电阴影下的中芯国际何以向未来?( 三 )


所谓有果必有因 。 由于三星产品技术来自IBM授权 , 因此其产品特征与IBM一样 。 例如三星2009年量产的65纳米和以前投产的产品 , 其产品特征均与IBM一样 , 而和台积电差异极大 , 这点符合一般预期 。 但之后几年(也就是梁孟松2009年离开台积电前往韩国) , 三星的45、32、28纳米节点 , 与台积电差异急剧减少 , 两家产品变得极为相近 。
台积电于是委托外部专家以最先进的电子显微镜 , 分析头发万分之一细微的电晶体 , 详细比对IBM、台积电和三星3家公司产品最新4代产品的主要结构特征以及组成材料 , 制作了一份名为“台积电/三星/IBM产品关键制程结构分析比对报告” 。
此报告中列出7个电晶体的关键制程特征 , 例如浅沟槽隔离层的形状、后段介电质层的材料组合等 , 双方产品都高度相似 。 此外 , 三星28纳米制程P型电晶体电极的硅锗化合物 , 更类似台积电的菱形结构特征 , 与IBM的圆盘U型完全不同 。 这份报告又指出2015年双方量产的16、14纳米鳍式场效应晶体管产品更为相似 , 单纯从结构分析可能分不出系来自三星或来自台积电 。
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这几项如指纹般独特并难以模仿的技术特征 , 使台积电认定梁孟松已泄漏台积电公司的商业秘密给三星 。 另外 , 台积电早在10年前的2005年据称就已经开始基于FinFET技术(鳍式场效晶体管)的研发 , 而梁孟松是其中的核心参与者 。
据当时中国台湾媒体独家取得的台积电控告梁孟松损害营业秘密的二审判决书 , 从中发现 , 梁孟松对三星的“贡献”之大 , 以及对台积电伤害之大 , 远超过之前外界所知 。
种种坐实的证据 , 最终让始于2011年台积电对于梁孟松泄漏商业秘密的民事诉讼在2015年底有了结果 , 法院最终判决:在2015年12月31日之前 , 梁孟松不能以任职或者是其他的方式继续为三星提供任何服务 。
还是老规矩 , 对事不对人 。 业内从上述有关三星从28纳米直至14纳米发展中引发的诉讼中看到了什么?
既然是从技术创新的角度 , 我们看到的是 , 三星赶超台积电的路径几乎和当时张汝京时代的中芯国际同出一撤 。 不同的是 , 作为企业 , 三星比当时的中芯国际要幸运得多(台积电只是起诉了梁孟松个人) , 没有遭到台积电的起诉 。
至于为何台积电没有起诉三星 , 据当时台积电的律师称 , 三星企业规模与产品线 , 远比当年的中芯国际庞大且复杂 , 贸然开战 , 后果难测 , 虽然台积电有所准备 , 但不会轻启战端 。
在此 , 也许有人会称 , 台积电明显是“欺软怕硬” , 欺负咱们中芯国际弱小 , 三星强大 。 持这种观点的人未免太过于狭隘 。
首先起诉与否是台积电的事情 , 作为被起诉方 , 自己是否侵犯了人家的知识产权才是关键 。 更为重要的是 , 起诉过后彼此的表现 。
这里回到台积电起诉梁孟松的案件 , 按理说 , 台积电损失惨重 , 甚至有伤筋动骨之嫌 , 但事实是 , 仅在第二年 , 台积电就凭借自身在制程技术的创新重新从三星手中夺回了苹果A系列芯片制造的订单 , 并一直延续到今天 。
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至于三星 , 本可以继续在2016年继续聘用梁孟松及其台积电旧部的团队(包括黄国泰、夏劲秋、郑钧隆、侯永田及陈建良) , 但三星没有 , 重要的是 , 在没有梁孟松及其台积电旧部的团队下 , 三星芯片制造的迭代和创新并没有停止 , 10纳米、8纳米、7纳米、5纳米、3纳米 , 一直咬住台积电不放 , 甚至在未来的3纳米规划中 , 首先采用FinFET升级版的GAA工艺技术(台积电和英特尔依然采用FinFET技术)走出了不同于台积电和英特尔的技术路线 。


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