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华为不会被“美国陷阱”打垮，但可能被自己打垮( 二 )


DUV i 光刻机第二、我国的半导体上游产业最核心的设备光刻机即将研发出来 。 我国唯一的光刻机供应商上海微电子装备公司的曝光分辨率达28nm的浸没式Arf光刻机子（SSA/800-10W DUV i 光刻机）即将下线 。 这种光刻机可经多次曝光可生产11nm制程芯片 。 而用于7nm以下制程的EUV光刻机的两大核心部件也已进展不小 。 2016年4月28日 ， 由清华大学机械工程系朱煜教授担任负责人的研发团队历经5年时间研发的光刻机双工件台系统样机成功通过了国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”（简称02专项）实施管理办公室的项目验收 。 2017年 ， 长春光机所的32nm线宽的EUV光刻曝光系统于通过了重大专项项目组专家的验收 。华为不会被“美国陷阱”打垮，但可能被自己打垮
光刻机双工件台的验收现场第三、我国的碳基芯片技术已达到即将产业化阶段 。 5月26日 ， 北京碳基集成电路研究院传出来一个好消息 ， 由中国科学院院士彭练矛和张志勇教授基于碳基纳米管晶体芯片的研发团队 ， 花费了将近20年的努力 ， 终于在新型的碳基半导体中取得了重大的研究成果 ， 不仅是突破了碳基半导体的制造设备的瓶颈 ， 更是实现了全球领先的碳基纳米晶体管芯片的制造技术 。 目前该团队已经制造出性能等同于28纳米硅基芯片的碳基芯片 。 要达到同等性能 ， 碳基芯片仅需使用比硅基芯片落后三代的制程技术即可 。 这就意味着14纳米制程的碳基芯片就相当于5纳米制程芯片 ， 而且需要的工序设备要少得多 。 根据消息人士透露 ， 3年内性能等同于28纳米硅基芯片的碳基芯片就能产业化 。 如今的硅基芯片已经接近极限 ， 发展速度越来越慢 ， 替换芯片制程材料势在必行 。 因此 ， 若继续发展碳基芯片产业 ， 未来10年我国很可能在芯片制程领域实现弯道超车！目前 ， 华为连EDA都已经自己研发出来了 ， 不仅如此华大九天也宣布研制出可用于7nm制程的EDA 。 而光刻胶、蚀刻机、12英寸高纯硅等等核心产品和设备 ， 我国也均有企业有产品能初步满足要求 。 目前 ， 仅剩最难的光刻机暂时无解 。 只要能解决光刻机 ， 即使美国禁令不解除 ， 我国也能用自己的国产设备生产出7nm芯片 。 根据已有消息得知 ， 可用于制造11nm芯片的DUV i 光刻机各个关键部件均已研制出来 ， 接下来就是安装调试 ， 预计最快年底能解决问题 ， 最慢两年内也能解决问题 。 而EUV光刻机预计两年至三年内也能研制出来 。华为已经对外宣布储备了可供使用2年的芯片 。 只要2年内国产光刻机能研制出来 ， 能生产11nm芯片 ， 即使美国禁令不解除 ， 华为最重要的5G通讯基站芯片也能继续生产 ， 中低端手机芯片依然能自己设计生产 ， 生存就更不是问题 。 况且 ， 美国政府也留有120天缓冲期 ， 实际上这个缓冲期也是留给中美双方谈判窗口期 ， 说明美国依然有谈判的想法 ， 否则就不必留缓冲期 。 也许最后我国有办法和美国达成双方都能接受的协议 。华为不会被“美国陷阱”打垮，但可能被自己打垮
简而言之 ， 生存根本不是问题 。 但是华为的内部人事问题反而不容乐观！华为虽然实力强大 ， 然而堡垒往往是从内部攻破的 。 华为创始人任正非是美国的打击目标之一 。 一方面 ， 要小心美国政府针对任正非先生使用非法暗杀手段 ， 让华为瞬间群龙无首；另一方面 ， 孟晚舟女士很可能永远无法回国 ， 对任正非先生来说始终是个不小的心理打击 。 如今 ， 任正非先生年事已高 ， 华为的接班人问题可能比生存问题更大 。 由于任正非先生在华为的地位很高 ， 华为内部又人才济济 ， 如何选出一位像任正非先生一样有威望的人变得很艰难 。 就如同普京在俄罗斯地位很高 ， 很难再选出一位像他一样有威望的总统一样 。 若无法解决接班人问题 ， 华为很可能出现内部争权问题 ， 带来的后果甚至比被美国制裁更严重 。在此 ， 衷心希望任正非先生能比较好的解决华为内部人事问题 ， 彻底解决“守业难”问题！细说科技 2020-06-08 21:20:18


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