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日本日美芯片摩擦启示录，美国故技重施，中国芯片如何突围？( 六 )


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▲全球芯片区域消耗量变迁（1980-1988）（$ millions）
日本日美芯片摩擦启示录，美国故技重施，中国芯片如何突围？
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▲日本硅、原油、粗钢需求量
日本日美芯片摩擦启示录，美国故技重施，中国芯片如何突围？
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▲ DRAM 产品全球市占率
举国体制加创新型模仿造就日本 DRAM 的辉煌 。 1970 年初 ， 尽管日本可以生产DRAM 芯片 ， 但没有掌握关键的制程和设备 。 因此 ， 1976 年在大藏省等多个部门的协商下 ， 日本开始实行“DRAM 制法革新”国家项目 。 由政府出资 320 亿 ， 富士通、NEC 等公司出资 400 亿 ， 总共筹资 720 亿日元 ， 目标是在短期内提高 DRAM 的制作水准 。 国家性科研机构——“VLSI 技术研究所”因此设立 ， 该所是由日本电子综合研究所和计算机综合研究所主导创办的 。 VLSI 技术研究所汇集了 800 多名技术精英以研制日本产高性能 DRAM 制程设备 ， 想要短期内实现 64K DRAM 和 256K DRAM可实用性 ， 并在 10 到 20 年之间实现 1M DRAM 的可实用性 。
日本日美芯片摩擦启示录，美国故技重施，中国芯片如何突围？
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▲MITI（日本通产省）和 NTT（日本电话电信）的 VLSI 项目对比
在产业化方面 ， 日本政府为半导体企业 ， 提供了高达 16 亿美元的巨额资金 ， 包括税赋减免、低息贷款等资金扶持政策 ， 帮助日本企业打造 DRAM 集成电路产业群 。 到 1978 年 ， 日本富士通公司研制成功了 64K DRAM 大规模集成电路 。
创新型模仿 ， 日本 DRAM 成功的又一关键 。 英特尔当初凭借 4KB DRAM 抢占了超过 80%的市场份额 ， 日本公司纷纷效仿 ， 导致英特尔的市占率急转直下 。 后来英特尔研发了 16KB DRAM（三电源供电）和 64KB DRAM（三电源供电） ， 然而由于跟风者不断追进 ， 英特尔很难持续垄断市场 。 于是英特尔在 1979 年推出杀手锏产品：单电源供电的 16KB DRAM ， 日本公司根本无从下手 ， 所以该款 DRAM 产品在发售时获得 100%市占率 ， 然而 ， 竞争对手纷纷模仿英特尔开发单电源 DRAM 产品 ， 最终英特尔的市占率跌到 10%左右 ， 最后英特尔决定退出 DRAM 行业 。 英特尔的退出造就了日本 1985 年取得全球 80%的巅峰市占率 。
日本日美芯片摩擦启示录，美国故技重施，中国芯片如何突围？
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▲英特尔 DRAM 产品市占率
3、 对日本电子制造业取得成功的一点思考
纵观日本电子制造业在 1950-1985 年这 35 年间取得的成就 ， 我们认为有几点值得当前中国电子制造业思考与学习  。
起步低不代表长不大 。 日本电子制造业从 1950 年开始发展 ， 在此之前从没有哪一项电子技术是从日本起步 ， 朝鲜战争爆发后日本的收音机出口开始迅猛增长 ， 但是让索尼引以为傲的晶体管收音机的核心晶体管技术也是索尼从美国购买 ， 1959 年德州仪器制作了世界上第一块集成电路 ， 在美国企业一直认为晶体管已经成为过去 ， 集成电路才是未来的背景下日本自主研发了第一台晶体管计算机 NEAC-2201 并参加巴黎万国博览会 ， 但与美国同行差距仍然甚大 。
日本的电子制造业正是从收音机开始做起 ， 最后在半导体技术方面跻身全球一流 。 我们一直对当前中国电子制造业所从事的低端生产存有偏见 ， 认为中国电子制造业就是以富士康为代表的产品组装 ， 中国电子制造业的精密制造就是生产以线束连接器为代表的低端产品 ， 但日本例子告诉我们起步低但依然可以通过后续追赶而在全球市场拥有一席之地 ， 中国智能机行业近年来的发展也证实这一可能 。
模仿可以短期内获得最大的进步 。 日本 DRAM 行业发展壮大的历程告诉我们通过模仿龙头产品 ， 可以短期之内获得与龙头同台竞技的资格 。 此外 ， 韩国 DRAM 也是靠模仿日本而壮大 ， 相信中国电子制造业在创新型模仿的战略下并结合自身实际 ， 可以迅速赶上龙头国家 。


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