IGBT知识归纳总结雅乐思电磁炉 _小知识

雅乐思电磁炉（IGBT知识归纳总结）
引起IGBT失效的原因1、过热容易破坏集电极，电流过大引起的瞬时过热及其重要原因，是因散热不良导致的连续过热均会使IGBT破坏。如果器件连续短路，大电流发生的功耗将引起温升，由于芯片的热容量小，其温度快速上升，若芯片温度超过硅本征温度，器件将失去阻断才能，栅极掌握就无法掩护，从而导致IGBT失效。实际运用时，一般最高许可的工作温度为125℃左右。
2、超越关断安全工作区引起擎住效应而破坏。擎住效应分静态擎住效应和动态擎住效应。IGBT为PNPN 4层构造，因体内存在一个寄生晶闸管，当集电极电流增大到必定水平时，则能使寄生晶闸管导通，门极失去掌握作用，形成自锁现象，这就是所谓的静态擎住效应。IGBT产生擎住效应后，集电极电流增大，发生过高功耗，导致器件失效。动态擎住效应重要是在器件高速关断时电流降低太快， dvCE/dt很大，引起较大位移电流，也能造成寄生晶闸管自锁。
3、瞬态过电流IGBT在运行进程中所蒙受的大幅值过电流除短路、直通等故障外，还有续流二极管的反向恢复电流、缓冲电容器的放电电流及噪声干扰造成的尖峰电流。这种瞬态过电流虽然连续时光较短，但如果不采用办法，将增长IGBT的累赘，也可能会导致IGBT失效。4、过电压造成集电极、发射极击穿或造成栅极、发射极击穿。

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IGBT掩护办法当过流情形涌现时， IGBT必需保持在短路安全工作区内。IGBT蒙受短路的时光与电源电压、栅极驱动电压以及结温有亲密关系。为了防止由于短路故障造成IGBT破坏，必需有完美的检测与掩护环节。一般的检测办法分为电传播感器和IGBT欠饱和式掩护。
1、立即关断驱动信号
在逆变电源的负载过大或输出短路的情形下，通过逆变桥输入直流母线上的电传播感器进行检测。当检测电流值超过设定的阈值时，掩护动作封闭所有桥臂的驱动信号。这种掩护办法最直接，但接收电路和箝位电路必需经特殊设计，使其实用于短路情形。这种办法的缺陷是会造成IGBT关断时蒙受应力过大，特殊是在关断感性超大电流时，必需注意擎住效应。
2、先减小栅压后关断驱动信号
IGBT的短路电流和栅压有亲密关系，栅压越高，短路时电流就越大。在短路或瞬态过流情形下若能在瞬间将vGS分步减少或斜坡减少，这样短路电流便会减小下来，长许可过流时光。当IGBT关断时， di/dt也减小。限制过电流幅值。

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igbt模块IGBT模块是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件。
IGBT模块的选择IGBT模块的电压规格与所应用装置的输入电源即试电电源电压紧密相干。其相互关系见下表。应用中当IGBT模块集电极电流增大时，所发生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗增大，使原件发热加剧，因此，选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特殊是用作高频开关时，由于开关损耗增大，发热加剧，选用时应当降等应用。
IGBT应用注意事项由于IGBT模块为MOSFET构造， IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般到达20～30V 。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此应用中要注意以下几点：
1 ，在应用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必需要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸；
2 ，在用导电材质衔接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块；
尽量在底板良好接地的情形下操作。
3 ，在运用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会发生使氧化层破坏的振荡电压。为此，通常采取双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以克制振荡电压。