DDR内存技术更迭20年( 五 ) _内存

DDR市场格局与国产进展
高资金壁垒、高技术壁垒促使DRAM供应端形成寡头垄断市场。存储芯片的设计与制造产业具备较高的技术壁垒和资本壁垒，早期进入存储器颗粒领域的头部企业具备显著的竞争优势。同时随着晶圆制程的不断提升芯片设计和研发的难度持续提升，晶圆制造产线的投资额也随之增长，IDM 模式的存储芯片企业资本支出高企。
历经几十年间的多轮行业周期与技术变革后，存储芯片市场形成了寡头垄断格局，市场被韩国和美国的龙头企业主导。从DDR内存芯片市场来看，三大巨头三星、SK海力士、美光技术存在领先优势，据统计数据，三大巨头2021年市占率合计占比超90% 。中国台湾存储企业华邦及南亚科技，大陆存储企业长鑫存储为技术追赶者。
目前市场上具备DDR5/LPDDR5量产能力的仅为三星、海力士、美光。国内存储龙头合肥长鑫存储计划于2022Q1进行DDR5的试量产。长鑫存储于2016年成立，为业内追赶者，发展较为迅速。长鑫存储于2019年9月发布自主研发的8Gb DDR4芯片正式量产，采用19纳米工艺打造。2020年长鑫存储的DDR4及LPDDR4（X）已入市，主要用于国产的PC/手机端，性能获得市场的认可、价格具备市场吸引力。

文章插图
有消息称，长鑫存储今年还将投产17nm工艺的DDR5内存，未来还会有10G5工艺和DDR6的升级，可见我国在内存芯片领域正在加速追赶，未来在这一领域或将不再受限于国外垄断。
此外，芯动科技近日也在LPDDR5X领域率先突破10Gbps，以先进FinFet工艺量产全球最快LPDDR5/5X/DDR5 IP一站式解决方案。除了速度的提升，延迟也降低了15%，非常适合5G通信、汽车高分辨率AR/V、AI边缘计算等应用场景。
除了LPDDR5/5X/DDR5，近期芯动科技还正式发布了全球首款GDDR6X高速显存技术，首发的GDDR6/6X Combo IP，单个DQ能达到21Gbps超高速率，已经在多个先进FinFet工艺成功量产出货。芯动科技还率先推出自主研发物理层兼容UCIe标准的IP解决方案Innolink Chiplet，这是首套跨工艺、跨封装的Chiplet连接解决方案，且已在先进工艺上量产验证成功。

文章插图
值得一提的是，今年5月，国内又一家科技公司澜起科技正式宣布，已成功首发试产面向DDR5内存的第二代RCD芯片。RCD芯片是一种缓冲器，位于内存控制器和DRAM IC之间，可以重新分配模块内的命令/地址信号，从而提升信号完整性并将更多内存设备连接到一个DRAM通道。
另外，澜起科技还发布了全球首款CXL内存扩展控制器芯片MXC，该芯片可大幅扩展内存容量和带宽。之后不久，三星电子发布首款512GB内存扩展器DRAM模组，该内存模组的CXL内存扩展控制器芯片就是采用了澜起科技的MXC 。
财信证券表示，高流量应用场景的逐步落地要求更高的服务器性能，而处理器厂商陆续推出新平台标志DDR5开始取代DDR4，这将带来内存接口芯片单价的提升，同时配套芯片的引入也会带来增量空间。
写在最后
从1971年英特尔发明第一块DRAM开始，这个产业起起伏伏发展了50多年。DRAM行业领头羊也从美国换到日本，如今花落韩国。
毫无疑问，随着国产DDR5内存的诞生，市场竞争还会进一步加强。
在过去十几年，韩国统治了内存市场，但对未来的情况谁都无法预测。长鑫存储用6年追到只差三星1-2代，也许再用5年就能完全追平三星。
毕竟，所有燎原的大火都起源于一粒火种。