DDR内存技术更迭20年( 三 ) _内存

与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降沿同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍以上于上一代DDR内存预读取能力。

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DDR2 SDRAM
DDR2能够在100MHz 的发信频率基础上提供每插脚最少400MB/s的带宽，而且其接口将运行于1.8V电压上，从而进一步降低发热量，以便提高频率。从JEDEC组织者阐述的DDR2标准来看，针对PC等市场的DDR2内存将拥有400、533、667MHz等不同的时钟频率，高端DDR2内存拥有800、1000、1200MHz频率。
此外，值得注意的是，DDR2舍弃了传统的TSOP，开启了内存FBGA 封装之门，减少了寄生电容和阻抗匹配问题，增加了稳定性。
DDR3
2007年，JEDEC协会正式推出 DDR3 SDRAM规范，DDR3开始走向舞台。
相比于DDR2，得益于生产工艺的精进，DDR3的工作电压从1.8V降到1.5V和1.35V（DDR3L），进一步降低了功耗，减少了发热量，并采用了根据温度自动自刷新、局部自刷新等功能，在一定程度弥补了DDR3延迟时间较长的缺点。

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同时，因为DDR3可以在1个时钟周期输出8bit的数据，而DDR2是4bit，因此其单位时间内的数据传输量是DDR2的2倍。DDR3的速度从800MHz起跳，最高可以达到1600MHz 。DDR3内存与DDR2一样是240Pin DIMM接口，不过两者的防呆缺口位置是不同的，不能混插。常见的容量是512MB到8GB，当然也有单条16GB的DDR3内存，只不过很稀少。
Intel酷睿i系列(如LGA1156处理器平台)、AMD AM3主板及处理器的平台都是其“支持者” 。
时至今日，DDR2和DDR3陆续开始退出市场。
三星已在2021年末Q4确定停产DDR2；同时三星及海力士计划逐步退出DDR3市场。根据DDR3市占率顶峰期2014年的数据（市占率达84%）显示，三星及海力士市场份额达67%，短期内，两大内存厂商退出市场将在供给端造成显著空缺。
DDR4
早在遥远的2007年，有关DDR4内存标准的一些信息就被公开。
在美国旧金山2008年8月举行的英特尔开发者论坛上，一位来自奇梦达的演讲嘉宾提供了更多关于DDR4的公开信息。在当年关于DDR4的描述中，DDR4将使用30nm制程，运行1.2V的电压、常规总线时钟频率速率在2133MT/s，“发烧”级别将达到3200MT/s，于2012年推出市场，到2013年时运行电压将改进至1V 。
然而到了2011年1月，三星电子宣布完成DDR4 DRAM模块的制造和测试，采用30nm级工艺，数据传输率为2133MT/s，运作电压在1.2V，这也是史上第一条DDR4内存。在此之前，三星电子40nm制程的DRAM芯片的成功流片，成为DDR4发展的关键。
三个月之后，SK海力士宣布2400MT/s速率的2GB DDR4存储器模块面世，运作电压同样在1.2V，同时宣布预计在2012年下半年开始大批量生产。此后的2012年5月，美光宣布将在2012年后期使用30nm制程生产DRAM及闪存颗粒。
然而直到2014年，DDR4内存才首次得到应用，首款支持DDR4内存的是英特尔旗舰级x99平台。2014年底，起跳频率为2133MHz的DDR4内存产品陆续开始纷纷上市，随着2015年8月，英特尔发布Skylake处理器和100系列主板，DDR4开始真正走向大众，也标志着DDR4时代的到来。

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DDR4 SDRAM
与DDR3相比，DDR4的工作电压从1.5V降到1.2V和1.05V（DDR4L），这意味着功耗更低，发热量更小了。速度方面，DDR4从2133MHz起跳，最高速度可达4266MHz，接近DDR3的三倍。
原因在于，一方面DDR4除了可支持传统SE信号外，还引入了差分信号技术，即进化到了双向传输机制阶段；另一方面，DDR4采用了点对点的设计，简化了内存模块的设计，更容易实现高频化；此外，DDR4还采用了三维堆叠封装技术，增大了单位芯片的容量的同时，还采用了温度补偿自刷新、温度补偿自动刷新和数据总线倒置技术，在降低功耗方面起到了很好的效果。
另外DDR4增加了DBI、CRC、CA parity等功能，让DDR4内存在更快速与更省电的同时亦能够增强信号的完整性、改善数据传输及储存的可靠性。
从DDR到DDR3，每一代DDR技术的内存预取位数都会翻倍，前三者分别是2bit、4bit及8bit，以此达到内存带宽翻倍的目标。不过DDR4在预取位上保持了DDR3的8bit设计，因为继续翻倍为16bit预取的难度太大，DDR4转而提升Bank数量，一个rank单元内的Bank单元数量增长至16个，每个DIMM模块最高拥有8个rank单元。
DDR5
内存技术的发展与PC市场始终相辅相成。