三星|弯道超车台积电 三星30日量产3nm工艺：良率超预期
【三星|弯道超车台积电 三星30日量产3nm工艺：良率超预期】6月28日 ， 据韩国日报消息 ， 三星将在6月30日宣布量产3nm工艺 ， 此举也意味着三星在新一代工艺节点上弯道超车台积电 ， 后者预计今年下半年才会量产3nm工艺 。
3nm工艺的具体详情还没公布 ， 但是之前导致三星被质疑的良率问题应该已经解决 ， 韩国分析师、HMC投资证券公司研究中心主管Greg Roh日前透露称 ， 三星的3nm工艺良率提升速度远高于市场预期、新增客户速度相当快 。
根据他的数据 ， 三星晶圆代工业务将成长40%左右、高于业界整体25%的增幅水平 。
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按照三星去年公布的信息 ， 3nm节点也分为3GAE及3GAP ， 前者主要是三星自己用 ， 后者首次使用GAA晶体管 ， 面向外部代工客户 。
根据三星的说法 ， 与7nm制造工艺相比 ， 3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了45%以上 ， 功耗降低了50% ， 性能提高了约35% ， 纸面参数上来说却是要优于台积电3nm FinFET工艺 。
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