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闪存|国产芯片欲弯道超车：曝长江存储跳过192层闪存 直接切入232层

2016年成立的长江存储 ， 于2017年通过自主研发和国际合作的方式 ， 设计制造了首款3D NAND闪存 。2019年 ， 长江存储晶栈 Xtacking架构的第二代3D TLC闪存量产 ， 2020年 ， 第三代TLC/QLC研发成功 ， 推进到128层3D堆叠 。
在闪存领域 ， 通常将堆叠层数视作技术先进程度的指标 。
DT报道称 ， 业内人士给出消息称 ， 长江存储计划跳过192层 ， 直接切入232层闪存生产 。
这是什么概念？
根据此前韩国研究机构OERI的一份报告 ， 其表示中韩闪存技术差距目前已经缩短至两年 ， 理由是三星和SK海力士明年初会量产超200层闪存 ， 长江存储则要到2024年 ， 现在来看 ， 它们低估了长江存储的技术储备 。
另外 ， 此前传出长江存储有望打入苹果供应链 ， 为iPhone等产品供货闪存的说法 ， 倘若最终实现 ， 那么无疑将有着打破产业格局的动能 。
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