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你必须要知道 场效应管参数


你必须要知道 场效应管参数

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FET参数(你必须知道)
什么是FET？场效应晶体管简称场效应晶体管 。主要有两种类型:结型场效应晶体管——JFET和金属氧化物半导体场效应晶体管(简称MOS-FET) 。FET的基本参数是什么？
(1)场效应晶体管的基本参数
(1)夹断电压UP(Pinch-OFF voltage UP) ， 也称截止栅压UGS(OFF) ， 是在信息资源网络中耗尽型结型FET或耗尽型绝缘栅FET的源极接地时 ， 使漏源输出电流降至零所需的栅源电压UGS 。
②导通电压UT ， 又称阀电压 ， 是增强型绝缘栅FET的漏源电压UDS为某一值时 ， 能使信息资源网的漏源开始导通的最小栅源电压UGS 。
③饱和漏电流IDSS是栅源电压UGS为零 ， 漏源电压UDS大于夹断电压Up时耗尽型FET的漏电流 。
④击穿电压芽和缺陷

A.漏源击穿电压芽 。也叫漏源耐压 ， 是FET的漏源电压UDS增大到一定值 ， 使漏电流ID突然增大 ， 不受栅压控制时的最大漏源电压 。
B.栅源击穿电压缺陷 。是FET的栅极和源极之间的最大工作电压 。
⑤耗散功率PD也叫漏极耗散功率 ， 大约等于漏极-源极电压UDS和漏极电流ID的乘积 。
⑥漏电流IGSS是FET的栅-沟道结加反向偏压时产生的反向电流 。
⑦ DC输入电阻RGS又称栅源绝缘电阻 ， 是FET的栅沟道在反向偏置电压作用下的电阻 ， 约等于栅源电压UGS与栅极电流之比 。
⑧漏源动态电阻RDS是漏源电压UDS的变化量与漏电流ID的变化量之比 ， 一般大于几千欧姆 。
⑨低频跨导gm也叫放大特性 ， 是栅极电压UG对漏极电流ID的控制能力 ， 类似于三极管的电流放大值 。
⑩极间电容是FET各极之间分布电容形成的杂散电容 。栅电容(输入电容)CGS和栅漏电容cGD的电容为1~3pF ， 漏源电容CDS的电容为0.1~1pF 。
场效应晶体管的主要参数
1.开启电压UT (MOSFET)
一般情况下 ， 导电沟道刚形成、漏电流ID出现时的栅源电压称为导通电压 ， 用UGS(th)或UT表示 。
开启电压UT是MOS增强晶体管的一个参数 。当栅源电压UGS小于导通电压的绝对值时 ， FET不能导通 。
2.夹断电压上升(JFET)
当UDS为固定值(如10V) ， ID等于小电流(如50mA)时 ， 加在栅极和源极之间的电压就是夹断电压 。当UGS=UP时 ， 漏极电流为零 。
3.饱和漏极电流IDSS (JFET)
饱和漏极电流IDSS是在UGS =0的条件下FET被预夹断时的漏极电流 。IDSS FET可以输出的最大电流 。
4.DC输入电阻RGS
当施加漏源短路和栅源电压时 ， DC电阻RGS是栅源之间的DC电阻 。
结型场效应晶体管:RGS》107MOS晶体管:RGS 109 ~ 1015 。
5.跨导Gm
漏电流的微变量与栅源电压的微变量之比 ， 即gm=△ID/△UGS 。它是衡量场效应管栅源电压对漏电流控制能力的参数 。Gm相当于三极管的hFE 。
6.最大消耗功率
最大漏极功耗PD=UDSID ， 相当于三极管的PCM 。以上对激素场效应晶体管的常用参数进行分析 ， 希望对你有所帮助 。
【你必须要知道 场效应管参数】


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