Intel|单价超3亿美元!Intel拿下首批第二代High-NA EUV光刻机 2nm将抢先量产
1月19日,全球光刻机巨头ASML公布了最新的财报,其2021年第4季度及2021全年业绩均创历年新高且优于预期 。
ASML还宣布其2022年一季度,其第二代高数值孔径(High-NA)光刻机TWINSCAN EXE:5200获得了首个订单,这也意味着这款可以被用于2nm芯片制造光刻机的有望在2024年交付 。
2021年营收186亿欧元,毛利率高达52.7%根据财报显示,ASML 2021年第4季营收为49.86亿欧元,净利润为17.74亿欧元,毛利率达54.2% 。新增订单金额为70.50亿欧元 。
2021年全年营收达186.11亿欧元(同比增长35%),净利润为58.83亿欧元,毛利率为52.7% 。2021年全年新增订单为262.40亿欧元,其中一半来自于EUV光刻机 。
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温彼得表示,ASML在2021年第四季度收到了一份TWINSCAN EXE:5000的订单 。自2018年以来,ASML已经收到四份TWINSCAN EXE:5000的订单 。
据了解,EXE:5000主要面向的是3nm工艺,而第二代的0.55 NA EUV光刻机TWINSCAN EXE:5200将会被用于2nm工艺的生产 。
021年出货了42台EUV光刻系统2021年ASML来自光刻系统方面的营收为136.53亿欧元,总共销售了287台光刻系统 。
具体的销量方面,EUV光刻系统42台,贡献了约63亿欧元,销售额占比高达46%;ArFi光刻系统81台,销售额占比36%;ArF光刻系统131台,销售额占比10%;i-Line光刻系统33台,销售额占比1% 。
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从销售的光刻系统的最终用途来看,70%被用于逻辑半导体制程,30%被用于存储芯片的制造 。
从光刻系统最终出货地来看,中国台湾地区贡献的销售额占比高达44%,韩国占比35%,中国大陆占比16% 。
【Intel|单价超3亿美元!Intel拿下首批第二代High-NA EUV光刻机 2nm将抢先量产】温彼得表示:“2021年ASML的EUV出货量增长并不高,这主要是由于我们在第三季度宣布的物流中心和供应链问题影响的结果 。但这完全由EUV光刻机的安装及升级等基础收入补偿了,特别是我们能够向客户提供的生产力升级 。我们的客户急需额外的容量,需求量很大 。这部分的销售额为15亿欧元 。在我们称之为生产力提升包的推动下,安装了大量选项,为客户提供了额外的晶圆容量 。”
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DUV 业务方面,ASML表示,XT:860N 已于 2021 年底交付给其第一个客户 。这种 KrF 系统提供了更好的性能和更低的成本 。2022年,随着 NXT:870 的引入,ASML将把 KrF 添加到 NXT 平台中,使其能够在生产率和拥有成本方面迈出重要的一步,并在 ArFi 和 ArFDry 中构建这个平台上的现有经验 。
应用业务方面,首款 eScan1100 多束检测系统计划在未来几周内交付,该系统是专为大批量生产设计的 。由于采用了 25 束(5x5),预计 eScan1100 与单一电子束检测工具相比,可增加 15 倍的吞吐量,用于目标在线缺陷检测应用 。
单价超3亿美元,TWINSCAN EXE:5200已接获首个订单
由于EUV光刻系统中使用的极紫外光波长(13nm)相比DUV 浸入式光刻系统(193 nm)有着显着降低,多图案 DUV 步骤可以用单次曝光 EUV 步骤代替 。可以帮助芯片制造商继续向7nm及以下更先进制程工艺推进的同时,进一步提升效率和降低曝光成本 。
自2017年ASML的第一台量产的EUV光刻机正式推出以来,三星的7nm/5nm工艺,台积电的第二代7nm工艺和5nm工艺的量产都是依赖于0.55 数值孔径的EUV光刻机来进行生产 。
目前,台积电、三星、Intel等头部的晶圆制造厂商也正在大力投资更先进的3nm、2nm技术,以满足高性能计算等先进芯片需求 。而3/2nm工艺的实现则需要依赖于ASML新一代的高数值孔径 (High-NA) EUV光刻机EXE:5000系列 。
ASML目前正在开发当中的高数值孔径 (high-NA) EUV光刻机是基于 0.33 数值孔径透镜的 EUV 光刻系统的迭代产品,其具有 0.55 数值孔径的镜头,分辨率为 8 纳米,而现有的0.33 数值孔径透镜的 EUV 光刻系统的分辨率为 13 纳米,使得芯片制造商能够生产3/2nm及以下更先进制程的芯片,并且图形曝光的成本更低、生产效率更高 。
但是,0.55 NA EUV光刻系统造价相比第一代的EUV光刻机也更高 。据 KeyBanc 称,一台0.55 NA EUV光刻系统的成本预计为3.186亿美元,而目前正在出货的EUV光刻系统则为1.534亿美元 。
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