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三星|台积电5nm技高一筹 三星不服：疯狂投入想要逆袭

近些年 ， 在晶圆代工（Foundry）市场 ， 三星一直没有放缓追赶行业龙头台积电的脚步 ， 然而 ， 在市占率方面 ， 三星仍然没有缩小与台积电的差距 ， 后者依然在小幅、稳步提升着 。
目前 ， 台积电约占全球晶圆代工市场56%的份额 ， 三星则为17%左右 ， 三星已经在这一市占率数字附近徘徊多年 ， 一直难有明显提升 。
在这种情况下 ， 台积电在投资规模、市场影响力、技术先进性、良率等方面依然没有放松 ， 仍在全情投入 。不过 ， 三星也没有丧失信心 ， 特别是借近两年全球芯片短缺的东风 ， 三星又祭出了一系列措施 ， 以求在未来几年有较大发展 。
三星再发力
近期 ， 三星最大的一个动作就是高层大调整 。这是在三星实控人李在镕出狱后做出的 ， 目标是重振三星集团 ， 发起高层人事部门大换血 ， 破格调整高管 ， 前所未有 。
其中 ， 三星全面撤换半导体、手机、消费电子三大事业主管 ， 并将手机及消费电子事业合并 ， 此举透露出三星集团经营重心已转向半导体 ， 让投资人信心大增 。
特别值得注意的是 ， 有8名四十多岁的副社长晋升者 ， 从该公司主力事业半导体事业（DS）部来看 ， 存储事业部商品企划组副社长Young-su Son（47岁）、Foundry事业部销售团队副社长Seung-cheol Shin（48岁）、美洲总管副社长Chan-ik Park（49岁）等晋升 。
半导体是三星的重中之重 ， 其中 ， 存储是其传统优势业务板块 ， 而Foundry是追赶龙头的中坚力量 ， 也是未来发力的重点 ， 高层年轻化可以提升干劲儿和活力 。
在制程工艺方面 ， 已经量产的最先进节点是5nm ， 这方面 ， 三星明显落后于台积电 ， 特别是在成熟度和良率方面 ， 去年 ， 采用三星5nm制程的高通Snapdragon 888就出现过热问题 ， 也输给台积电5nm制程的苹果A14、M1芯片效能表现 ， 今年苹果A15 芯片效能更远胜S888 。
在4nm方面 ， 三星宣布4LPP将在2022年满足该公司客户的要求 。由于4LPP依赖于熟悉的FinFET ， 三星的客户使用此节点将容易得多 。
此前 ， 三星将其4LPE视为其7LPP工艺的演进工艺 ， 也许这是因为4nm比5nm具有非常明显的PPAc（功率 ， 性能 ， 面积 ， 成本）优势 ， 或者因为存在实质性的内部变化（例如 ， 新材料 ， 极紫外光刻的使用率显著提高等） 。
据悉 ， 三星在2021年同时提高了其4LPE和5LPP技术的产量 ， 这使其能够为不同的芯片设计提供不同的PPAc优势 。
3nm方面 ， 三星计划在2022上半年推出3nm ， 虽然相较于台积电3nm制程同年下半年才会推出 ， 但台积电7月法说指出 ， 主要是配合客户时程 。目前 ， 三星晶圆代工主要客户包括高通、IBM、显卡大厂NVIDIA ， 以及自家的处理器芯片 。
李在镕8月假释出狱后 ， 立即宣布未来3年投入240兆韩元(约2050亿美元)  ， 巩固该公司在后疫情时代科技产业的优势地位 ， 称该公司的3nm制程采用环绕闸极技术（Gate-All-AroundGAA）不会输给竞争对手、也就是台积电 。
三星3nm制程研发规划分为2个阶段 ， 第一代的GAA GAE(GAA-Early)与第二代3nm GAP(GAA-Plus) ， 2019年称3nmGAE制程2020年底前展开风险试产 ， 2021年开始量产 ， 但目前未见踪影 ， 外界认为将延迟到2023年才会量产 。
三星就算宣称3nm正式流片 ， 预计2022年上半年量产 ， 但跟先前IBM宣称推出全球首款2nm GAA技术 ， 虽然证实技术的可行性 ， 重点仍在于制程的良率问题 ， 能否脱离实验室大规模量产 。
三星也强调 ， 与5nm制程相比 ， 其首颗3nm制程GAA技术芯片面积将缩小35% ， 性能提高 30% 或功耗降低 50% 。三星也表示3nm制程良率正在逼近4nm制程 ， 预计2022 年推出第一代 3 nm 3GAE 技术 ，  ， 2023 年推出新一代3 nm 3GAP技术 。
在制程工艺方面 ， 三星一直与IBM保持着密切的合作 。近期 ， 这两家公司宣布推出了一种创新技术 ， 名为VTFET ， 它的凸出特点是允许晶体管在垂直方向上堆叠 。不仅有助于缩Chiplet的尺寸 ， 还能够使之变得更加强大和高效 。


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