国产芯片有戏了？3nm芯片关键技术被突破，复旦大学教授立功了
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今天跟大家聊一聊：国产芯片有戏了？3nm芯片关键技术被突破 ， 复旦大学教授立功了 。
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芯片是智能化时代的依赖产物 ， 只要是电子类产品都需要用到芯片 ， 随着手机越来越智能 ， 对于芯片工艺的要求也越来越高 ， 目前最先进的5nm芯片工艺也已经用于手机制造上了 ， 搭载5nm芯片的iPhone 12以及Mate 40 ， 在性能表现上都格外的突出 。
正因为如此 ， 对于更为先进的制造工艺 ， 众人也充满了期待 ， 但目前芯片的整体发展却遇到了瓶颈 ， 在芯片制造工艺突破2nm之后 ， 已经无限接近摩尔定律了 ， 想要继续突破基本上是不可能了 ， 面对这样的瓶颈 ， 各大半导体巨头并不想就此妥协 ， 目前包括三星、台积电、ASML在内的半导体巨头 ， 都在尝试各种方法 ， 试图采用全新的方式来突破这样的困境 。
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目前市面上芯片所采用的都是硅基材料 ， 目前很多国家都在试图寻找可替代的材料 ， 而其中石墨烯芯片的呼声是最高的 ， 目前在该领域我们也已经取得了突破性的进展 ， 中科院此前也已经展现了8英寸的石墨烯晶圆 。
而还有一种办法也能够提高芯片的整体性能 ， 而这种方法就是改进晶体管技术 ， 此前采用的都是FinFET晶体管技术 ， 但是在如今制程不断萎缩的情况下 ， 这样的技术已经不足以支撑今后芯片的发展了 ， 要想有实质性的突破 ， 就必须尝试全新的晶体管技术了 。
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3nm芯片关键技术被突破 ， 复旦大学教授立功了就在12月17号芯片领域再次传来了好消息 ， 复旦大学微电子学院正式宣布 ， 由学院周鹏教授团队成功攻克了技术难题 ， 在3nm芯片关键技术上取得了重大突破 。
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这一次的技术攻克是非常有针对性的 ， 主要解决的就是目前5nm节点以下的晶体管技术 ， 在围栅多桥沟道晶体管上 ， 成功实现了双层沟道厚度分别为0.6/1.2nm工艺 ， 在高驱动电流以及低泄漏电流上实现了完美的融合 。
这项技术最终被命名为了GAA多桥沟道晶体管技术 ， 目前也已经在IEDM国际电子器件大会上正式发表 ， 跟此前普遍采用的FinFET晶体管技术相比 ， 采用了全新的技术之后 ， 可以很好实现测控能力以及漏电控制能力 ， 根据实验数据表明 ， 在驱动电流上比普通的MoS2晶体管提升超4倍 ， 漏电等级也下降了两个层次 ， 可以帮助5nm以下的节点工艺 ， 在摩尔定律之下得到更好的性能提升 。
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国产芯片有戏了？众所周知 ， 制造芯片的关键设备是光刻机 ， 虽然我们在很多制造工艺上都已经取得了突破 ， 但短期之内想要绕过光刻机实现尖端的芯片制造 ， 这显然是不太现实的 ， 不过有了尖端技术的突破 ， 国产芯片的未来也可期了 。
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而对于GGA晶体管技术 ， 相信大家也不是第一次听说了 ， 早就在此前三星就已经发布了关于GGA晶体管技术的相关报道 ， 显然三星掌握此项技术要早于复旦大学教授 ， 三星在5nm的技术上落后于台积电 ， 这也导致了在市场份额上大大落后于台积电 。
【国产芯片有戏了？3nm芯片关键技术被突破，复旦大学教授立功了】而三星在GGA技术的研发上却优于台积电 ， 三星也有打算直接尝试把全新的技术运用到3nm芯片的量产中 ， 以此来实现对于台积电技术的赶超 ， 如果一切顺利的话预计在2022年就能够正式投产 ， 而台积电则采用了原本的FinFET晶体管技术 ， 来实现对于3nm芯片的制造 ， 显然台积电这样的做法是比较保守的 ， 但一旦三星利用GGA技术成功研制出了3nm的芯片 ， 那么台积电的优势或将不再存在 。
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