中科院辟谣！国产技术还在180nm水平，5nm技术被过分解读
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【中科院辟谣！国产技术还在180nm水平，5nm技术被过分解读】今天跟大家聊一聊：中科院正式辟谣！国产技术还在180nm水平 ， 5nm技术被媒体过分解读 。
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随着智能化社会的到来 ， 对于高端芯片的依赖越来越大了 ， 然而在高端芯片的制造上 ， 我们依然存在着很大的劣势 ， 尤其体现在光刻设备上 ， 缺少了先进的光刻机 ， 也直接导致了国内芯片制造不尽人意 ， 而华为目前的困境 ， 就是中国整个半导体的缩影 。
很多人都会好奇 ， 为什么我们没有办法生产出光刻机呢？光刻机最复杂的环节就在光刻技术上 ， 不仅需要顶级的光源 ， 在精度上的要求也非常的苛刻 ， 美日几乎垄断了市场上所有的光刻技术 。 好在目前中科院把光刻机相关技术 ， 当成了首要攻克的目标 ， 在国内半导体企业的配合下 ， 相信实现技术突破不会用很长的时间 。
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目前也已经有很多关于光刻机相关技术被研发出来 ， 而此前中科院的一篇报道也被传的沸沸扬扬 ， 标题为《超分辨率激光光刻技术制备5纳米间隙电极和阵列》 ， 这篇研究论文在当时引起了很大的关注 。
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而当时正处于华为被限制最严的时刻 ， 在中科院这一篇报道出来之后 ， 引起了很多媒体的错误解读 ， 很多人都不理解其中的意思 ， 就把它误解为中国不需要EUV光刻机 ， 就已经有能力生产出5nm的光刻机了 。
其实事实并非如此 ， 但在当时那种情况之下 ， 很多人还是相信了这样的误解 ， 因为有中科院的这篇研究论文摆在那边 。 而对于这样的错误解读 ， 该论文的通讯作者刘能在近期接受了采访 ， 也彻底对国内是否有能力生产5nm芯片做出了解答 。
刘能对文章中提到的5nm超高精度激光光刻技术 ， 进行了详细的解答 ， 这项技术主要是用在光掩膜制作上 ， 和EUV光刻机的极紫外光刻技术完全是两回事 ， 二者之间也没有实际的联系 ， 存在这样的误解是因为媒体混淆了两种技术的概念 。
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虽然光掩模技术也是光刻机制造中不可或缺的 ， 但在技术难度上和整体的重要性上 ， 和极紫外光刻技术上还是没有可比性的 ， 在光刻过程中 ， 极紫外光通过激光把电路设计图写在光掩模上 ， 最后把电路图照射到硅片表面上 ， 一切步骤准备就绪之后就会进行最终的刻蚀工艺 。
其实光掩模的精度也会影响到集成电路的线宽 ， 越高精度的芯片对光掩模的技术匹配要求也会更高 ， 在这项技术没有得到突破之前 ， 中国只能够生产中低端的光掩模 ， 对于高端的技术长期被日本以及美国的三家公司垄断 。
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虽然这项技术并没有媒体传的那么夸张 ， 没有光刻机也还是不能完成5纳米芯片的制造 ， 但对于我们来说也还是拥有着决定性的意义的 ， 意味着5nm级别的光掩模 ， 我们已经有办法实现完全自主国产化 ， 这对于今后高端芯片的制造还是有很大帮助的 ， 但目前也正在处于实验室阶段 ， 正式退出市场还需要一定的时间 。
根据相关消息称 ， 有半导体领域的资深专家 ， 透漏出了目前国内半导体的现状 ， 他表示：“目前国内可以实现的制程工艺仅为180纳米 ， 而且还在测试阶段 ， 还没有真正实现完全国产化 。 ”
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