观察者网|中兴7nm芯片商用之际，中芯国际7nm制程“取得突破”
观察者网·大橘财经讯（文/吕栋 编辑/尹哲）在中兴通讯宣布5G基站7nm芯片实现商用的同一天 ， 中芯国际第二代FinFET工艺也凑巧曝出新进展 。
10月11日 ， 珠海市委机关报《珠海特区报》发布报道 ， IP和定制芯片企业芯动科技已完成全球首个基于中芯国际FinFET N+1先进工艺的芯片流片和测试 ， 所有IP全自主国产 ， 功能一次测试通过 。
受此消息刺激 ， 阴跌已久的中芯国际 ， 今天A股和港股均大幅上涨 ， 带动A股半导体概念纷纷飘红 。
截至发稿 ， 中芯国际A股和港股涨幅均一度接近14% ， 半导体设备供应商中微公司、北方华创、安集科技等涨幅也超过5% 。
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中芯国际港股（左）和A股股价信息
关于N+1工艺 ， 中芯国际联合CEO梁孟松去年曾透露 ， 该工艺在功率和稳定性方面7nm工艺非常相似 ， 且不需要EUV光刻机 ， 但在性能方面提升还不够 ， 所以N+1工艺是面向低功耗应用领域的 。
所谓成功流片 ， 中科院半导体所相关人士向观察者网介绍 ， 就是在实验室得到性能达到指标的器件的意思 。 而要实现真正量产 ， 器件的可靠性、退化机制等一些特性还需大量的数据支持和反复检验 。
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《珠海特区报》报道截图
“国产版7nm芯片制造取得突破”
在一篇题为《“国产芯”突围刻不容缓》的报道中 ， 《珠海特区报》写道：“芯动科技首个基于中芯国际先进工艺的芯片流片和测试成功 ， 不仅意味着具有自主知识产权的‘国产芯’再次打破国外垄断 ， 同时也说明‘国产版’的7nm芯片制造技术已经得到突破 。 ”
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《珠海特区报》报道截图
事实上 ， 流片是芯片量产前的一个必要步骤 。 为了测试集成电路设计是否成功 ， 需要对芯片进行试生产 ， 以检验电路是否具备所需的性能和功能 。 如果流片成功 ， 就可以大规模地量产芯片；反之 ， 就需要找出其中的原因 ， 并进行相应的优化设计 。
中科院半导体所相关人士告诉观察者网：“在技术交付之前 ， 会经历一个用户试用的阶段 ， 分不同的情况 ， 也许流片之后几个月或者几年才能真正实现量产 。 ”
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中芯国际官网截图
就在1个月前（9月18日） ， 中芯国际在“上证e互动”回答投资者提问时披露：“FinFET N+1已进入客户导入阶段 ， 可望于2020年底小批量试产 。 ”
虽然中芯国际从未证实 ， 但外界一直猜测“N+1”就是该公司的7nm工艺 。
今年2月 ， 中芯国际联合CEO梁孟松在财报会议上首次披露 ， 在功率和稳定性方面 ， N+1和7nm工艺非常相似 ， 唯一区别在于性能方面 ， N+1工艺提升较小 。
谈到具体数据 ， 他透露 ， 中芯国际N+1工艺和14nm相比 ， 性能提升20% ， 功耗降低57% ， 而7nm市场基准性能提升应该是35% ， 所以该公司的N+1工艺是面向低功耗应用领域的 。
在此之前 ， 中芯国际曾向荷兰阿斯麦（ASML）订购一台EUV光刻机 ， 用于下一代工艺制造 ， 价值高达1.5亿美元 ， 原计划在2019年初交付 。 但在美国政府阻扰之下 ， 这项交易至今仍未完成 。
对于外界“没有EUV光刻机就无法实现下一代工艺开发”的质疑 ， 梁孟松提到 ， 在当下的计划中 ， N+1和N+2工艺都不会使用EUV设备 ， 等到设备就绪以后 ， N+2才会转而使用EUV设备 。
福布斯中文网也在今年3月的报道中指出 ， 中芯国际的7nm工艺发展跟台积电路线差不多 ， 7nm节点一共发展三种工艺 ， 分别是低功耗的N7、高性能的N7P、使用EUV工艺的N7+ 。
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