micro|Micro-LED为什么难以普及?
北京联盟_本文原题:Micro-LED为什么难以普及?
摘要:Micro-LED制造有众多关键技术 , 其中大规模转移技术在Micro-LED制造中是最难的一部分 , 因为巨量转移技术需要将在衬底上生成的LED芯片转移到TFT基底层上面 , 并实现精准的对位和连接 。 除了大批量转移技术之外 , Micro-LED仍会遇到其他技术难题 。 在固态半导体、TFT薄膜电晶体、界面力学、光学与色彩原理、驱动IC、检测设备、均匀性等技术领域瓶颈同样有待突破 。
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Micro LED技术是由氮化镓芯片的微小版本组成的屏幕 , Micro LED技术的功耗比目前 OLED及LCD技术减少两倍到三倍 , 且亮度要高出几个数量级 。 因此 , 众多企业与不少大型设备制造商都在竞相制造出第 一块商用Micro LED显示屏幕 。
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在苹果引领下 , 越来越多的玩家加入到Micro-LED领域当中 , Micro-LED用于显示有其得天独厚的一些优势 。 Micro-LED集低功耗、高亮度、超高分辨率与色彩饱和度、反应速度快、超省电、寿命较长、效率较高等优点于一身 , 与LCD和OLED相比 , Micro-LED亮度和色彩饱和度优势十分明显 。
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【micro|Micro-LED为什么难以普及?】
Micro-LED做室内屏幕亮度能达到1000~2000nit , 液晶屏幕亮度只能达到几百nit 。 此外 , Micro-LED可以用三基色或者四基色等方案 , 色区覆盖更广 , 显示效果更好 。 但Micro-LED产业化过程中仍面临着众多技术挑战 , 甚至现在大多数人对Micro-LED定义模糊不清 , 不少人将小间距LED理解成Micro-LED 。
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Micro-LED制造有众多关键技术 , 其中大规模转移技术在Micro-LED制造中是最难的一部分 , 因为巨量转移技术需要将在衬底上生成的LED芯片转移到TFT基底层上面 , 并实现精准的对位和连接 。 除了大批量转移技术之外 , Micro-LED仍会遇到其他技术难题 。 在固态半导体、TFT薄膜电晶体、界面力学、光学与色彩原理、驱动IC、检测设备、均匀性等技术领域瓶颈同样有待突破 。
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第 一、倒装LED芯片自身路还未走好
对于Micro-LED来说 , 更适合采用倒装LED , 因为倒装LED不需要金属导线、可缩减LED芯片彼此间的间隙 , 所以更满足Micro-LED显示体积小 , 易制成微型化需求 。
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但是目前主流的照明显示LED领域 , 倒装芯片还存在着工艺、良率、成本等瓶颈问题 , 在传统LED行业使用的比例都还处在一个市占率相对薄弱的阶段 。 当然倒装LED在LED行业的使用规模增长却是越来越大 , 参与的企业越来越大 , 只是时间早晚的事 , 但是从倒装LED到倒装MicroLED还有一段距离要走 。
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第二、LED固晶良率控制难
以目前已成熟的LED灯条制程为例 , 在制作一LED灯条尚有坏点等失败问题发生 , 何况是一片显示器上要嵌入数百万颗微型LED 。 而LCD与OLED已采批次作业 , 良率表现相对较佳 。
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