英特尔|牙膏不小心挤多了？Intel公布10nm新技术，11代酷睿率先使用
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这几天Intel比较忙 ， 考虑到下个月十一代酷睿处理器就要上市了 ， 所以这边赶忙宣传一波 。 一方面为即将到来的Tiger Lake处理器造势 ， 另一方面也借此消除一些7nm制程难产的负面影响 。 近日Intel的架构日活动 ， 就主要介绍了新一代处理器的架构和性能 ， 这其中引起大家关注的一点就是新一代酷睿处理器很可能会率先使用新的10nm制程技术 。 当然 ， 除了10nm新技术之外 ， 像处理器架构和Intel新一代图形核心Xe也是大家关注的重点 。
10nm SuperFin技术 ， 降低功耗提升效能的大杀器在这次架构介绍会议上 ， Intel扔出的第一个大招就是新的10nm技术 。 Intel在10nm制程上开发已久 ， 如果从效率而言 ， Intel的10nm完全可以和台积电的7nm相比 ， 可以说Intel的10nm制程是目前全球最领先的 。 不过显然在7nm开发不顺之间 ， 继续挖掘10nm制程的潜力就是Intel的当务之急了 。
这次Intel带来的10nm新技术叫做SuperFin ， 预计会用在第十一代酷睿以及第十二代酷睿处理器上 。 Intel 表示 ， SuperFin提升了源极和汲极结构的磊晶生长 ， 从而提升了应力并减少了电阻 ， 以允许更多电流经过通道 。
在SuperFin这项技术上 ， Intel改进了栅极制程 ， 这样可以驱动更高的通道迁移率 ， 这会使得电荷更快速地移动 ， 并具备额外的栅极间距选项 。 这样导致的结果就是 ， 当芯片需要极致性能的时候 ， 就能提供更高的驱动电流 。 简单的说 ， 利用这项技术生产的处理器 ， 可以达到更高的频率 ， 同时在更高的频率上停留更长的时间 。
SuperFin的新型薄阻障层将通孔电阻降低了 30% ， 这样可增加互联效能 ， 和其他厂商的10nm制程相比 ， Intel的Super MIM电容在相同的面积下提供了5倍的容值 ， 这样就不会出现电压快速降低的情况 ， 可以保证处理器的效能 。 简而言之 ， 这是一个提升效能并降低功耗的很好方案 。
所以从这个技术来看 ， Intel已经将10nm制程发挥到了极致 ， 我们有希望看到第十一代酷睿能在10nm制程下拥有更高更稳定的工作频率 。 至于发热和功耗的情况 ， 可能只有当成品的笔记本经过测试 ， 才能得到答案 。 不过至少我们有比第十代酷睿表现更为乐观的理由 。
新封装新架构 ， 第十二代酷睿将使用大小核设计此外 ， Intel将会在新一代处理器上使用新的封装方式 。 Intel表示采用混合封装（Hybrid Bonding）的测试芯片已于2020年第二季投产 。 混合封装是一种可取代现在大多数封装技术 ， 相比目前主流的热压封装方案 ， 混合封装可实现非常先进的10微米以下凸点间距 ， 进而提供更高的互联密度、频率带宽和更低的功耗 。
而在处理器架构方面 ， 第十二酷睿处理器将采用Willow Cove CPU微架构 ， 使用10nm SuperFin 技术 。 Intel官方声称这一架构和制程技术 ， 具备超过一个世代的处理器效能提升幅度 ， 将会大幅度改善频率表現和提升电力效率 ， 此外还会导入重新设计的缓存架构 ， 并通过Intel控制流强制技术（Control-flow Enforcement Technology）增强了安全性 。 也就是说第十二代酷睿处理器的效能很可能超过目前第十代酷睿处理器100%以上 ， 这的确值得期待 。
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