半导体行业观察|GaN路线之争再起波澜( 三 )
其中 ， Cree主要由其子公司Wolfspeed经营RF业务 。 2018年 ， Cree收购了英飞凌的RF部门 ， 该部门主要设计制造LDMOS放大器 ， 同时拥有GaN-SiC/Si器件生产能力 。 收购完成后 ， Cree成为了全球最大的GaN射频器件供应商 。 Cree除为自家生产GaN射频器件外 ， 还向外提供GaN代工生产服务 。
而Qorvo在GaAs的基础上 ， 进一步发展了GaN-on-SiC；MACOM则在早期看好GaN-ON-Si工艺 ， 近两年也开始发展GaN-on-SiC ， 如上周发布了其新型GaN-on-SiC功率放大器产品线 ， 名为MACOMPURECARBIDE 。 该公司还推出了该产品线的前两个新产品MAPC-A1000和MAPC-A1100 。
结语
以上主要介绍了GaN-on-Si和GaN-on-SiC这两种技术的优缺点 ， 以及各自的发展形势 ， 并从外延片、晶圆代工和IDM这几个方面分析了眼下该领域厂商的发展情况 。
与几年前相比 ， 有越来越多的厂商重视GaN-on-SiC ， 并投入了研发力量 ， 相应的产品也越来越多 。 随着成本等问题的逐步解决 ， 未来 ， GaN-on-SiC的性能等优势有望凸显出来 ， 特别是在射频应用领域 ， GaN-on-SiC比GaN-on-Si具有更好的发展前景 。
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