半导体行业观察|GaN路线之争再起波澜( 三 ) 来源：内容由半导体行业观察（ID：icba

其中， Cree主要由其子公司Wolfspeed经营RF业务。 2018年， Cree收购了英飞凌的RF部门，该部门主要设计制造LDMOS放大器，同时拥有GaN-SiC/Si器件生产能力。收购完成后， Cree成为了全球最大的GaN射频器件供应商。 Cree除为自家生产GaN射频器件外，还向外提供GaN代工生产服务。
而Qorvo在GaAs的基础上，进一步发展了GaN-on-SiC；MACOM则在早期看好GaN-ON-Si工艺，近两年也开始发展GaN-on-SiC ，如上周发布了其新型GaN-on-SiC功率放大器产品线，名为MACOMPURECARBIDE 。该公司还推出了该产品线的前两个新产品MAPC-A1000和MAPC-A1100 。
结语
以上主要介绍了GaN-on-Si和GaN-on-SiC这两种技术的优缺点，以及各自的发展形势，并从外延片、晶圆代工和IDM这几个方面分析了眼下该领域厂商的发展情况。
与几年前相比，有越来越多的厂商重视GaN-on-SiC ，并投入了研发力量，相应的产品也越来越多。随着成本等问题的逐步解决，未来， GaN-on-SiC的性能等优势有望凸显出来，特别是在射频应用领域， GaN-on-SiC比GaN-on-Si具有更好的发展前景。

半导体行业观察|GaN路线之争再起波澜( 三 )

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