江苏龙网

  1. 首页 > 人文 > >

凯纳特光电|切片效率提高8倍，进一步缩小Mini-LED尺寸及边缘距离


凯纳特光电|切片效率提高8倍，进一步缩小Mini-LED尺寸及边缘距离
文章图片
近几年Mini-LED的概念逐渐充斥了整个显示市场 。 Mini-LED是LCD背光的一个非常有趣的发展 ， 不过目前还有许多问题要解决 ， 比如该技术还需要进一步降低灯珠的成本 ， 这样LCD背光才可以大量使用 。 我们认为基于Mini-LED的显示器在不久的未来有望能够获得更多的市场份额 。
据外媒报道 ， 一家总部位于硅谷并从事LED领域工作的公司Verticle ， 虽然已有16年的发展历史 ， 但好像一直都处于一种隐身模式 。 除了专利列表之外 ， 网上很少能找到其他可以加深对该公司认识的资料 ， 但该公司正在开发的一项MiniLED切片技术引发关注 。
凯纳特光电|切片效率提高8倍，进一步缩小Mini-LED尺寸及边缘距离
文章图片
01降低成本
近些年 ， Mini-LED以及Micro-LED概念和技术慢慢出现在大众眼前 ， 一时成为现下OLED技术强有力的竞争对手 。 Micro-LED真正市场化尚需要时间 ， 不过主打液晶显示器背板应用的Mini-LED技术已经开始进入市场 。 设计人员使用mini-LED制作分区背光进而实现局部调光 ， 这样可以极大提高传统液晶显示器的动态对比度进而改善图像质量 。
不过为了获得满意的分区效果和视频质量 ， Mini-LED背光一般会用到非常多的LED芯片 。 例如 ， 目前市场上传言会使用Mini-LED背光的下一代iPadPro(12.9英寸)屏幕就会用到10,000数量级的LED芯片 。 实际上 ， 目前Mini-LED芯片的应用成本还因为芯片良率、波长均齐和转移良率等因素居高不下 ， 所以 ， 降低Mini-LED芯片的成本将是Mini-LED显示器商业化的主要问题之一 。
凯纳特光电|切片效率提高8倍，进一步缩小Mini-LED尺寸及边缘距离
文章图片
Verticle公司指出 ， 缩小芯片尺寸是降低Mini-LED制造成本的最有效方法之一 。 不过该公司同时也表示 ， 由于芯片良率(工艺损伤)和极长的处理时间 ， 当前的芯片分离技术(例如 ， 工业标准的隐形激光切割工艺)限制了芯片尺寸的进一步缩小 。 这对于尺寸小于100μm的Micro-LED芯片更是如此 。
针对这一限制的存在 ， 该公司提出了一种创新的芯片分割技术“化学切割(ChemicalDicing)” 。 据介绍 ， 这种技术可以在大幅度减小mini-LED芯片尺寸的同时而不会损坏芯片 。 该公司表示 ， 使用“化学切割”工艺 ， 他们可以通过极大增加每个晶圆的芯片产出数量来大幅降低整个芯片的制造成本 。 此外 ， 如表1所示 ， 这种技术同时还会带来更窄的芯片街道划片宽度(StreetScribeWidth) 。
凯纳特光电|切片效率提高8倍，进一步缩小Mini-LED尺寸及边缘距离
文章图片
表1.化学切割方法通过减小芯片尺寸和街道宽度极大增加了芯片的DPW
这种化学切割技术对芯片的无损性质非常重要 ， 因为它通过湿法化学的方式蚀刻出芯片街道进而实现裂片 。 相比较于传统的热或机械方式 ， 它不会产生额外的热或声冲击波 ， 所以也就不会产生传统方式会带来的芯片损失 。 使用化学切割方法 ， 芯片切屑边缘周围不会出现损伤 ， 按Verticle说 ， 这意味着有效区域和芯片切割边缘的距离可以做到小于2微米 。 也就是说 ， 这种方案可以扩大晶圆的有效面积 ， 这让相同尺寸的LED芯片可以发出更多的光 ， 当然 ， 这也就意味着会降低成本 。
如表1所示 ， 与传统基于倒装芯片技术的mini-LED工艺相比 ， 新方案下芯片尺寸和街道宽度的缩小让晶圆的DPW(DieperWafer ， 每块晶圆上产出的芯片)增加接近8倍 。 实际上 ， 传统基于倒装芯片技术的mini-LED工艺下的芯片尺寸较大且芯片街道宽度更宽 。
凯纳特光电|切片效率提高8倍，进一步缩小Mini-LED尺寸及边缘距离
文章图片


推荐阅读


上一篇：IT世界|为何选择浪潮？是这两个抓手在主导！，中国移动5G专网启航

下一篇：ZAKER生活|浅析游戏音乐的定义