行业互联网|好消息！华为迎来巨大转机，国产10nm芯片要自产了！
近两个月以来 ， 要说华为最担心什么 ， 估计很多人都会说：“最担心芯片断供” 。 没错 ， 自从美国对华为实施禁令以来 ， 距离“缓冲期”结束越来越近 ， 而华为目前却仍未找到台积电的替代者 ， 这对华为来说绝对是最危险的时候 。
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目前 ， 全球能独立生产光刻机的公司寥寥无几 ， 但庆幸的是 ， 中国占据了其中一席 。 上海微电子已经具备90nm芯片制程工艺 ， 虽然相比荷兰阿斯麦最先进的5nm工艺尚有差距 ， 但好歹也是国际上仅有的四个家芯片制造公司之一 。
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据悉 ， 中国科学院光电技术研究所已经研制出分辨力达到22nm的光刻机 ， 结合双重曝光技术后 ， 未来分辨率可能达到10nm以下 ， 这对华为来说绝对是一个好消息 。 不过 ， 这距离华为彻底突围还需时日 。
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我们知道 ， 目前华为使用的麒麟990芯片已经达到了7nm工艺 ， 更夸张的是 ， 麒麟1020 5G芯片更是达到了5nm工艺 ， 未来将与Mate40一同亮相 。 虽然现在台积电在尽最大努力帮华为生产该系列芯片 ， 但是如果后期华为自身长期供应不上高端芯片 ， 必将引来产品无法升级的风险 。
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经过7年的努力 ， 这台由中国科学院光电技术研究所研制的“超分辨光刻装备项目”已经通过验收 ， 是世界上首台分辨力最高的紫外超分辨光刻装备 ， 能够在365nm的波长下完成22nm工艺芯片的生产 ， 还能通过多重曝光等手段实现10nm以下工艺的芯片生产 。 虽然这距离华为需要的精度还有差距 ， 但总算是看到了希望！
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在这个世界上 ， 有一种叫做知识产权的东西 ， 也叫专利 ， 一旦被别人优先申请 ， 其他人就无法自由地使用 ， 如果要用 ， 必须得到专利方的同意并缴纳专利费 。 而中科院这次突破最重要的意义是 ， 这套光刻机绕过了国外高分辨光刻装备技术知识产权壁垒 ， 形成了一条全新的纳米光学光刻工艺路线 ， 具有完全自主知识产权 。
随着台积电的倒戈 ， 华为在芯片制造上已无路可退 ， 虽然有消息称华为已经大力扶持比亚迪在半导体芯片制造领域的发展 ， 同时也极力要求海思实现自主加工 ， 但就目前来看 ， 这个过程应该仍旧漫长 。
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中科院完全自主的光刻机将摆脱西方国家的技术封锁 。 任正非曾说：“十年前我们就想到了如今的局面 ， 但是十年后我们还是没逃过这一劫 。 ”华为花了10年的时间都没能解决芯片制造工艺的难题 ， 可见这个过程有多么复杂 。
芯片制造主要分为三个环节 ， 设计、制造和封装 。 在芯片设计领域 ， 华为海思已经达到了世界顶尖水平 ， 对于封装 ， 以国内成熟的工业体系和工艺技术 ， 也不存在很大问题 ， 唯一难的是制造环节 。 光刻是芯片制造最核心的步骤 ， 这个过程必须依靠光刻机来完成 。 说到光刻机 ， 一切都显得寸步难行 ， 至于有多难 ， 这里不再赘述 ， 大家可以参考前期的文章查阅 。
正因为光刻机制造如此艰难 ， 所以仅靠华为一己之力是远远不够的 。 芯片制造是国内所有电子设备企业的面临的难题 ， 大家应该齐心协力 ， 合理分工 ， 各点击破 ， 以实现光刻机在国内的自主研发和供给 。
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