通关原创 方寸之困:纳米级芯片通关路( 二 )
然后 , IC芯片就像是用乐高积木盖房子一样 , 将设计好的电路在硅片基底上面一层 。 一层又一层的堆叠出来 。 这里就要使用到“光刻”的方法 。
本文插图
(IC电路3D剖面图 , 蓝色为晶圆 , 红色和黄色为层叠的电路)
首先在硅晶圆片上涂一层光刻胶 , 然后放上掩模版 , 再用光束照射掩模版 。 经过一段时间的曝光 , 被照射的光刻胶区域发生变化 , 然后再用化学试剂刻蚀 , 就在硅片上留下了想要的图形 。 这个过程就称之为“光刻” 。
然后 , 是对硅片进行掺杂 , 也就是加入三族(硼)或者五族(磷)元素 , 形成相应的P型或者N型晶体管 。 硅片上面残留的光刻胶的部分就会阻挡掺杂元素进入下面的硅片 , 而对于那些光刻胶被刻蚀的区域 , 掺杂元素就会进入硅片 , 形成晶体管了 。
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(CPU内部的层状结构 , 最下层为器件层 , 线宽最窄 , 即MOSFET晶体管)
整体上 , 一块圆形硅晶薄片穿梭在各种极端精密的加工设备之间 , 要经过昼夜无休地被连续加工两个月 , 进行热处理、光刻、刻蚀、清洗、沉积等成百上千道工序 , 在硅片表面制作出只有发丝直径千分之一的沟槽或电路 , 最终集成了海量的微小电子器件 , 经切割、封装 , 成为现代电子设备当中最核心的硬件——芯片 。
因为要在如此小的空间里放上亿个半导体元件 , 那么晶体管的尺寸就要达到了纳米量级 。 直观地理解 , 我们的指甲的厚度大约是0.1毫米 , 而1纳米就相当于我们指甲厚度的十万分之一 。
【通关原创 方寸之困:纳米级芯片通关路】所谓制程 , 就是在芯片中最基本功能单位门电路的宽度 , 也就是线宽 。 缩小线宽的作用 , 就是在更小的芯片中塞入更多的晶体管 , 可以增加处理器的运算效率 , 降低成本;或者是在满足运算的前提下 , 减少芯片体积 , 以降低耗电量和满足设备轻薄、微小化的需求 。
现在主流的纳米级制程是10nm和7nm , 最先进的制程已经达到5nm , 并正在向3nm演进 。
5nm工艺制程如何实现?
尽管缩小制程带来性能和功耗等诸多好处 , 但实际上 , 受到物理界限和漏电问题的制约 , 制程变小并不是无限制的 。
我们知道 , 信息世界是由0和1二进制生成的 , 而晶体管就是将0101之类的数字信息转换成电信号的半导体硬件 。 晶体管由“沟道”和“栅极”组成 , 其中电流在半导体的源极和漏极之间流动 , “栅极”用于管理流过“沟道”的电流 。, “门”通过放大电信号并且还用作开关 , 产生二进制的系统数据 。 随着晶体管变小 , 源极和漏极之间的距离变小 , 使得作为开关的晶体管难以工作 。
具体来讲 , 晶体管的门与通道之间有一层绝缘的二氧化硅 , 作用就是防止漏电流 , 自然绝缘层越厚绝缘作用越好 。 然而随着工艺的发展 , 这个绝缘层的厚度被慢慢削减 , 原本仅数个原子层厚的二氧化硅绝缘层变得更薄 , 进而导致泄漏更多电流 , 泄漏的电流又增加了芯片额外的功耗 。
为应对这些挑战 , 第一个重要改进出现在2000年后 , 为应对绝缘层的漏电 , 工程师使用了更多的新型绝缘材料 , 即使其他组件继续收缩 , 绝缘层也不再收缩 。 第二个是对晶体管的结构进行剧烈改进 。 当晶体管的制程进入到25nm以下的时候 , 即使是更绝缘的材料也不能防止漏电 。 原先的平面晶体管(PlanarFET)的尺寸就已达到其物理极限 , 而一种采用更复杂的三维立体结构(FinFET)的鳍式晶体管应运而生 。
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