『』第三代半导体渐成市场焦点，厂商紧抱SiC这块“蛋糕”
SiC 被提及的比较多 ， 各大厂家（像 Infineon、Cree、Rohm 等）也都在积极进行碳化硅产品的布局 。
功率半导体器件最为功率变换系统的核心器件 ， 适用于高压低损耗的第三代宽禁带半导体的 SiC 器件未来可期 。
随着 5G、电动车等新应用兴起 ， 第三代化合物半导体材料逐渐成为市场焦点 ， 看好碳化硅(SiC) 等功率半导体元件 ， 在相关市场的优势与成长性 ， 许多 IDM、硅晶圆与晶圆代工厂 ， 均争相扩大布局；即便近来市场遭遇疫情不确定因素袭击 ， 业者仍积极投入 ， 盼能抢在爆发性商机来临前 ， 先站稳脚步 。
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目前全球 95% 以上的半导体元件 ， 都是以第一代半导体材料硅作为基础功能材料 ， 主要应用在资讯与微电子产业 ， 不过 ， 随着电动车、5G 等新应用兴起 ， 推升高频率、高功率元件需求成长 ， 矽基半导体受限硅材料的物理性质 ， 在性能上有不易突破的瓶颈 ， 也让厂商开始争相投入化合物半导体领域 。
第三代半导体材料包括氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC) 等宽频化合物半导体材料 ， 其中 ， 碳化硅具备低导通电阻、高切换频率、耐高温与耐高压等优势 ， 可应用于 1200 伏特以上的高压环境 。
相较于氮化镓 ， 碳化硅更耐高温、耐高压 ， 较适合应用于严苛的环境 ， 应用层面广泛 ， 如风电、铁路等大型交通工具 ， 及太阳能逆变器、不断电系统、智慧电网、电源供应器等高功率应用领域 。
近来随着电动车与混合动力车发展 ， 碳化硅材料快速在新能源车领域崛起 ， 主要应用包括车载充电器、降压转换器与逆变器 。且据研究机构 IHS 与 Yole 预测 ， 碳化矽晶圆的全球电力与功率半导体市场产值 ， 将从去年的 13 亿美元 ， 扩增至 2025 年的 52 亿美元 。
在 IDM 厂方面 ， 除英飞凌(Infi neo n)、罗姆(ROHM)等 IDM 大厂积极布局外 ， 安森美半导体(ON Semiconductor)也在本月与 GTAT 签订 5 年碳化硅材料供给协议 。
虽然受限成本与技术门槛较高、产品良率不高等因素 ， 使碳化硅晶圆短期内难普及 ， 但随着既有厂商与新进者相继扩增产能布局 ， 且在电动车、5G 等需求持续驱动下 ， 可望加速碳化硅晶圆产业发展 。
【『』第三代半导体渐成市场焦点，厂商紧抱SiC这块“蛋糕”】就目前来说 ， SiC 和氮化镓 GaN 都属于宽禁带半导体 ， SiC 功率器件具有高品质的外延晶片以及比 GaN 更成熟的工艺技术 ， 所以其在高压应用中更具吸引力 。在大型硅晶片上异质外延生长的 GaN 基横向开关器件在相对低电压的应用中显示出很大的前景 。当然 ， 两者以及 Si 的发展还需要基于其生产设备以及工艺技术来评估 。
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