[cnBeta]美光将于本季度量产基于RG架构的128层3D NAND闪存
美光在二季度财报电话会议上透露 ， 该公司即将开始基于全新 RG 架构的第四代 3D NAND 存储器的量产工作 。 按照计划 ， 美光将于 2020 Q3 采集开始生产 ， 并于 Q4 像商业客户发货 。 作为这家硬件制造商的一次重大技术转型 ， 第四代 3D NAND 存储器的层数达到了 128 层 。
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【[cnBeta]美光将于本季度量产基于RG架构的128层3D NAND闪存】
资料图（来自：Micron）
此外 ， 作为美光长期技术演进计划的核心 ， 该公司将用替换门（RG）技术来取代与英特尔合作时期使用了多年的传统浮栅技术 。
美光拥有 RG 技术的完整设计 ， 且希望本次技术转型能够减小管芯尺寸、降低成本、提高性能 ， 以及更轻松地过渡到更多层的下一代节点 。
尽管量产工作宜早不宜迟 ， 但美光向也投资者指出 ， 该公司不会在今年内全面转向基于 RG 架构的 3D NAND 技术 ， 毕竟早期良率还有继续提升的空间 。
美光称 ， 其计划在 2020 Q4 财季（今夏）开始出货 128 层 RG 架构的 3D NAND 闪存产品 。
首席执行官 Sanjay Mehrotra 补充道：“我们在向 RG 技术过渡方面取得了重大进展 ， 预计到 2020 年末 ， 它将成为公司 NAND 总供应量的重要组成部分” 。
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