大步进击的台积电，停滞不前的集成电路

半导体的矛与盾：大步进击的台积电，停滞不前的集成电路晶圆代工格局演变：进阶的台积电VS一直掉队的对手在晶圆代工行业，台积电老大的地位毋庸置疑。据拓墣产业研究院统计，台积电2019年第四季市占率预估达到52.7% ，三星电子(Samsung)则是以17.8%居次，而第三名的格芯(GlobalFoundries)则只占8% 。从市占率来看，台积电已把竞争对手的差距拉得非常大。

在工艺方面，向更高微型工艺进击是各大厂商前进的方向。国产最强的中芯国际已量产14nm ，准备研发7nm工艺；英特尔已量产10nm工艺，未来10年，计划从10nm升级至1.4nm；格芯从40、50nm工艺深入到22nm ，并采用12nmFinFET工艺成功流片基于ARM架构的高性能3D封装芯片，投身于3D封装领域；三星已生产7nm芯片，并完成4nm工艺的开发，正向3nm工艺开发前进...... 而台积电在7nm工艺上已发展得非常成熟，截至2019年6月份，台积电7nm已经获得了60个新产品流片。接下来，台积电将会陆续推出7nm+工艺、6nm工艺、5nm工艺和5nm+工艺。据悉，台积电的5nm工艺良率已达50% ，高于此前的7nm工艺试产，最快于2020年第1季度就能投入量产。此外，台积电正在进行3nm工艺研发，对晶体管结构进行大改；同时台积电在积极进军2nm节点，希望在2024年量产。无论从市占率还是工艺技术来看，台积电妥妥甩众人于尾后，稳坐巨头之位。其实晶圆代工厂商的格局并非一开始便是如此。晶圆代工成为专注领域始于张忠谋于1987年创立台积电，但当时的台积电并非技术实力最强者，更早的高通、英特尔、三星；同时期的联电；还有后来者中芯国际等，均是台积电前进路上的大敌。只是在后续的发展过程中，随着各大竞争对手的相继掉队，台积电渐渐成为晶圆代工霸主。

2003年，联电掉队。台积电与联电曾被誉称为台湾的“代工双雄” ，但2003年的0.13微米工艺，成了台积电与联电拉开差距的关键节点。当时，台积电自主研发工艺，与联电在选择是否与IBM合作研发上决策失误，导致台积电一技扬尘，于市场上取得先机。 2009年，格芯掉队。当时，格芯董事长HectorRuiz卷入“内线交易”案而下台，原定第二年流片的32与40/45纳米SOIHigh-k ，以及28纳米High-k工艺芯片，全部被推迟2至3个季度量产。 2003年至2009年，中芯国际掉队。 2000年，具备丰富晶圆代工经验的张汝京在上海创立中芯国际，一跃成为中国内地晶圆代工领域头把交椅。但自2003年起，台积电以窃取技术专利及商业机密的罪名起诉中芯国际，重挫中芯国际。 2009年，中芯国际败诉，赔偿2亿美元现金及10%股权给台积电。随后，张汝京离开中芯国际。 2011年，刚成立不久的格罗方德掉队。 AMDBulldozer架构的微处理器由格罗方德代工32纳米制程时，因良率过低，造成原订2011年第1季出货的进度，一路延误到2011年第4季，使得后来AMD将部分订单转交给台积电。随后，台积电在2011年就已量产28纳米制程，而格罗方德却迟至2012下半年才正式量产。 2017年，英特尔掉队。随着晶圆代工产业的竞争加剧， 7纳米先进制程成为了2017年各家晶圆代工厂的决胜点。尽管英特尔凭着世界顶尖的制程技术工艺，在14纳米上表现不俗，但晶圆代工著重的不只是制程，产量和良率等也是影响晶圆代工质量的重要因素，而英特尔在不良率上面被台积电完爆。在7纳米这场战争中，英特尔明显落败。 2018年，三星掉队。曾经三星也是可以与台积电并列的芯片巨头，但在7nm上三星失去先机，自此与台积电的差距越来越大。据相关数据显示，目前市面上90%的7nm工艺芯片均出自台积电之手。但尽管如此，据目前情况来看，未来三星是台积电最大的竞争对手。反观台积电，从1987年至2020年，这33年的时间长河里，台积电一直致力自研，不懈前行。从实现8寸进入12寸的量产，到 28纳米工艺的技术超车，再到7纳米的巩固战役；从自研0.13微米铜制程，到押注浸润式技术，再到紧抓智能手机芯片风口；都让台积电向上垫高一阶，造就今日的传奇地位。半导体的矛与盾：大步进击的台积电，停滞不前的集成电路纵观晶圆代工产业的演变史，台积电的胜利明显源于制程工艺技术壁垒与好的良品率。但从更广的角度来看，大步进击的台积电背后，却是停滞不前的集成电路，折射出当今半导体发展的矛盾局面。