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可控硅（晶闸管 晶闸管参数的术语）( 二 )


2.关于转换电压的变化率
驱动大电感负载时，负载电压和电流之间存在较大的相移 。当负载电流过零时，双向可控硅(晶闸管)开始换向，但由于相移，电压不会为零 。所以要求晶闸管(晶闸管)快速关断这个电压 。此时，如果换向电压的变化超过允许值，将没有足够的时间释放结间的电荷，双向信息资源网的晶闸管将被迫返回导通状态 。
为了克服上述问题，可以在端子MT1和MT2之间添加RC网络，以限制电压变化并防止错误触发 。一般电阻100R，电容100nF 。值得注意的是，这个电阻不能省略 。
3.关于转换电流的变化率
当负载电流增大，电源频率增大或电源非正弦时，转换电流的变化率会增大，这种情况最容易发生在感性负载下，容易导致器件的损坏 。这时可以在负载电路中串联几个毫亨空气体电感 。
4.关于晶闸管(晶闸管)开路电压变化率的DVD/DT
在关断状态的双向晶闸管(晶闸管)两端施加小于其VDFM的高速电压时，内部电容的电流会产生足够的门极电流，使晶闸管(晶闸管)导通 。这在高温下尤为严重 。在这种情况下，可以在MT1和MT2之间增加一个RC缓冲电路来限制VD/DT，或者可以使用高速晶闸管(晶闸管) 。
5.关于连续峰值开路电压VDRM
当电源异常时，晶闸管两端的电压会超过连续峰值开路电压VDRM的最大值，此时晶闸管的漏电流会增大并击穿 。如果负载可以允许很大的浪涌电流，那么硅片上的局部电流密度就很高，使得这一小部分先导通 。导致芯片烧毁或损坏 。此外，对于白炽灯，容性负载或短路保护电路会产生较高的浪涌电流，因此可以增加滤波器和箝位电路，以防止尖峰(毛刺)电压施加到双向晶闸管(晶闸管)上 。
晶闸管(晶闸管)测试方法
区别
从外观上看，SCR分为螺旋型、扁平型、扁平型三种，螺旋型应用较为广泛 。SCR有三个电极——阳极(A)、阴极(C)和控制电极(G) 。它具有由P型导体和N型导体组成的四层结构，并具有三个PN结 。可控硅整流器与只有一个PN结的硅整流二极管在结构上有很大的不同 。SCR的四层结构及其控制电极的引入，奠定了其“以小控大”的优良控制特性 。在SCR的应用中，只要对控制极施加小的电流或电压，就可以控制大的阳极电流或电压 。电流几百安培甚至几千安培的可控硅器件 。一般5安培以下的晶闸管称为小功率晶闸管，50安培以上的晶闸管称为大功率晶闸管 。
电压测量方法
SCR为什么有“以小控大”的可控性？下面我们用图表-27简单分析一下SCR的工作原理 。
首先，从阴极算起的第一层、第二层、第三层可以看作一个NPN晶体管，而第二层、第三层、第四层则构成另一个PNP晶体管 。第二层和第三层重叠，由两个管道共享 。当在阳极和阴极之间施加直流电压Ea，并且在控制电极G和阴极C之间输入正触发信号(相当于BG1的基极-发射极间隔)时，BG1将产生基极电流Ib1，并且在放大之后，BG1将具有加倍的集电极电流IC1 。因为BG1的集电极连接到BG2的基极，所以IC1是BG2的基极电流Ib2 。BG2将比Ib2(Ib1)大2倍的集电极电流IC2发送回BG1的基极进行放大 。循环放大，直到BG1和BG2完全打开 。实际上，这个过程是一个“一触即发”的过程 。对于晶闸管，触发信号加到控制电极上，晶闸管立即导通 。导通时间主要由可控硅的性能决定 。
一旦晶闸管被触发导通，由于循环反馈，流入BG1基极的电流不仅仅是最初的Ib1，而是被BG1和BG2放大的电流(1*2*Ib1) 。这个电流比Ib1大很多，足以让BG1持续开着 。此时，即使触发信号消失，晶闸管仍将保持导通 。只有当电源Ea关断或Ea降低，使BG1和BG2中的集电极电流小于保持导通的最小值时，晶闸管才能关断 。当然，如果Ea的极性颠倒，BG1和BG2将由于反向电压而关闭 。此时，即使输入触发信号，晶闸管也无法工作 。另一方面，Ea正向连接，而触发信号为负，晶闸管不能导通 。另外，如果不加触发信号，正极电压超过一定值，晶闸管会导通，但不正常 。
晶闸管的这种可控特性，通过触发信号(小触发电流)(过大的电流流过晶闸管)来控制导通，是区别于普通硅整流二极管的重要特征 。
普通可控硅的三个电极可以用万用表欧姆档R100测量 。众所周知，晶闸管G和K之间有一个PN结(A)，相当于一个二极管，G为正极，K为负极 。因此，按照测试二极管的方法，找出三个极中的两个，测量它们的正负电阻 。电阻较小时，万用表黑色探针接控制极G，可以用刚才演示的教学板电路 。打开电源开关S，按下按钮开关SB，灯泡亮了就是好，不亮就是坏 。


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