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Intel|Intel全力押注EUV工艺 争取首发下代高NA光刻机

Intel这几年在工艺进度上落后跟10nm、7nm工艺多次跳票有关 ， 而新工艺延期也跟Intel此前不考虑EUV工艺有关 ， 所以10nm工艺才上了四重曝光 ， 导致良率上不去 ， 迟迟无法量产 。
Intel之前认为EUV工艺不够成熟 ， 现在EUV光刻工艺已经量产几年了 ， Intel也开始跟进了 ， 原先的7nm工艺、现在的Intel 4工艺会是全面使用EUV光刻机的开始 ， 首款产品是Meteor Lake流星湖 ， 2023年发布 。
之后的Intel 3工艺、Intel 20A工艺上也会持续利用EUV工艺 ， 进一步提升性能及能效 。
再往后Intel还会积极跟进EUV技术发展 ， 2025年之后的工艺已经规划到了Intel 18A ， 将使用第二代RibbonFET晶体管 ， EUV光刻机也会有一次重大升级 。
Intel表示致力于定义、构建和部署下一代High-NA EUV ， 有望率先获得业界第一台High-NA EUV光刻机 。
Intel目前正与ASML密切合作 ， 确保这一行业突破性技术取得成功 ， 超越当前一代EUV 。
这就意味着Intel很有可能首发下一代EUV光刻机 ， NA数值孔径从目前的0.33提升到0.5 ， 这是ASML的NXE：5000系列 ， 之前预计是在2023年问世 ， 现在推迟到了2025-2026年 ， 单台售价预计将超过3亿美元 ， 差不多人民币20亿一台 。
Intel为了超越台积电、三星重返半导体技术一哥 ， 现在可以说是拼了老命了 ， 对玩家来说这倒是好事 ， 以往的带头大哥回来了 。
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Intel|Intel全力押注EUV工艺 争取首发下代高NA光刻机
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