7nm|南大光电ArF光刻胶已拿到小批量订单 曾称可用于14/7nm工艺
7月2日消息 ， 国内半导体材料厂商南大光电在互动平台上表示 ， 公司旗下的ArF光刻胶产品拿到小批量订单 ， 不过他们没有透露具体的客户名单 。
今年5月份 ， 南大光电发表公告 ， 控股子公司宁波南大光电自主研发的ArF光刻胶继2020年12月在一家存储芯片制造企业的50nm闪存平台上通过认证后 ， 近日又在逻辑芯片制造企业55nm技术节点的产品上取得了认证突破 ， 表明公司光刻胶产品已具备55nm平台后段金属布线层的工艺要求 。
在光刻工艺中 ， 光刻胶被均匀涂布在衬底上 ， 经过曝光(改变光刻胶溶解度)、显影(利用显影液溶解改性后光刻胶的可溶部分)与刻蚀等工艺 ， 将掩膜版上的图形转移到衬底上 ， 形成与掩膜版完全对应的几何图形 。
半导体市场上主要使用的光刻胶包括g线、i线、KrF、ArF四类光刻胶 ， 其中 ， g线和i线光刻胶是市场上使用量最大的 。KrF和ArF光刻胶核心技术基本被日本和美国企业所垄断 。
此前南大光电曾在公告中表示 ， ArF光刻胶涵盖的工艺技术很广 ， 可用于90nm-14nm甚至7nm 技术节点制造工艺 ， 广泛应用于高端芯片制造（如逻辑芯片、 存储芯片、AI 芯片、5G 芯片和云计算芯片等） 。
【7nm|南大光电ArF光刻胶已拿到小批量订单 曾称可用于14/7nm工艺】
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