官宣研发1nm工艺！中国芯片巨头采购大量EUV光刻机
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今天跟大家聊一聊：官宣研发1nm工艺！中国芯片巨头采购大量EUV光刻机 ， 挑战摩尔定律极限 。
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人类科技的发展已经高度依赖于芯片了 ， 要想朝更高的文明社会发展 ， 就必须研发出更为高端的芯片 ， 而芯片的制造工艺也是目前工业制造中最难的 ， 起步的精度就是纳米级别的 ， 因此没有借助精密的仪器的话 ， 就算是入门级的芯片也没有办法制造 ， 目前没有任何一个国家能够独立完成芯片的制造 ， 就连科技发达的美国也不例外 。
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芯片的制造主要分为三个环节 ， 分别为芯片的研发设计、芯片制造、芯片封装测试 ， 目前在芯片的研发设计上华为拥有了最先进的5nm工艺 ， 而最难的环节就在于芯片的制造上 ， 在这个环节最为重要的就是EUV光刻机了 ， 目前只有荷兰的ASML公司才能制造出来 ， 在受到相关限制的影响下 ， 由于ASML在制造光刻机的过程中 ， 大量使用了美国的技术 ， 我们获取最先进的光刻机也受到了很大的限制 。
如今的芯片已经进入了5nm时代 ， 因此各大芯片代工厂对于高端光刻机的需求也越来越大 ， 高端的EUV光刻机数量 ， 直接决定着芯片的产能 ， 因此各大芯片代工厂 ， 目前都在不遗余力的抢购光刻机 。
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中国芯片巨头大量采购EUV光刻机就在近日中国芯片巨头台积电再次传来了好消息 ， 为了全新的制程工艺提前做准备 ， 目前已经在积极筹备大量的资金 ， 提前预定了之后荷兰ASML很长一段时间的产能 ， 届时台积电拥有最先进的EUV光刻机的数量将超过50台 ， 占到全球总量的一半以上 ， 这将直接拉开和三星的差距 。
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目前台积电已经拥有了成熟的5nm工艺 ， 还在积极研发3nm以及2nm的工艺 ， 也已经取得了重大成果 ， 据悉全新的多桥通道场效电晶体架构（MBCFET）已经被台积电研发了出来 ， 最终也将被率先用在最先进的2nm工艺上 。
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由于2nm的工艺以及无线接近于摩尔定律了 ， 因此如果还采用之前的鳍式场效电晶体（FinFET）架构 ， 反而会引起不好的连锁反应 ， 会导致电流控制漏电等等物理极限问题 。 因此要想更好的解决这些问题 ， 只能从架构上面去解决 ， 采用最新研发的架构 ， 能够有效的增强栅级对沟道的控制能力 ， 漏电的问题将得到有效的结局 。
台积电官宣研发1nm芯片！挑战摩尔定律极限 。 台积电最近还传出了一个好消息 ， 那就是他们已经展开对于1nm工艺的研发了 ， 此前一直传言2nm工艺已经是硅基芯片的极限了 ， 在全新的电晶体架构研发出来以后 ， 可以直接己挑战摩尔定律的极限了 ， 很好的解决了2nm之后的制程问题 。
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当然对于1nm的工艺 ， 目前台积电也还在试验阶段 ， 而且依靠目前ASML的光刻机 ， 就连之后将要实现的3nm工艺的芯片都没有办法生产制造 ， 更不用说再往下的工艺了 ， 显然要想实现尖端的工艺 ， 需要各大芯片企业的配合 ， 是没有任何的国家能够独立完成的 。
因此台积电作为ASML公司的大股东 ， 自然也对他们生产的光刻机提出了更高要求 ， 目前台积电已经有办法通过技术实现摩尔定理的延续 ， 但如果没有能够达到这样精度的光刻机的话 ， 那么一切也都是空谈 ， 作为唯一有能力生产EUV光刻机的企业 ， 也必须在这方面上下足功夫 ， 进一步的提升光刻机的制造精度 。
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