12nm 工艺 紫光国芯发布 GDDR6 控制器芯片：速率可达 16Gbps
不经意间 ， 中国的芯片公司又闯入了一个新领域 ， 日前西安紫光国芯宣布推出12nm工艺的GDDR6存储控制器和物理接口IP（GDDR6MC/PHYIP） 。
【12nm 工艺 紫光国芯发布 GDDR6 控制器芯片：速率可达 16Gbps】紫光国芯之前做过DDR内存芯片 ， 还有就是NAND闪存 ， 推出显存相关的IP芯片还是第一次 ， 而且水准不低 ， 制程工艺使用的是GF格芯的12nmLP低功耗工艺 ， 做的也是GDDR6存储控制器和物理接口IP（GDDR6MC/PHYIP） ， 大家可以理解为GDDR6显存的主控芯片 。
根据紫光国芯介绍 ， 这个GDDR6MC/PHYIP包括一个可配置的内存控制器（MC） ， 其完全符合DFI3.1和AMBAAXI4.0标准 ， 并允许设计工程师生成具有优化延迟和带宽的GDDR6控制器以满足高性能应用的要求 ， 如显卡 ， 游戏机和AI计算等 。
该IP针对功耗和性能进行了优化设计 ， 西安紫光国芯的GDDR6物理接口（PHY）提供了高达12Gbps/13Gbps/14Gbps/16Gbps的数据速率 ， 同时兼容JEDEC250和DFI3.1标准 。
物理接口（PHY）部分还嵌入了高性能锁相环以满足严格的时序规范 。
与主流GDDR6存储颗粒集成 ， 经过流片测试验证 ， 该IP的性能在12Gbps/14Gbps/16Gbps数据率时满足设计规格要求 。 且当数据率为16Gbps时 ， 平均每个DQ的最大功耗小于4mW/Gbps 。
目前 ， 紫光国芯的GDDR6MC/PHYIP已经在格芯的12LP工艺平台上架 。
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