高光！南京大学攻克新的光刻技术有望解决我国芯片
高光！南京大学攻克新的光刻技术 ， 有望解决我国芯片卡脖子的问题科技迅2020-10-6今年 ， 对于我国而言 ， 可谓是天灾人祸齐聚！年初有新冠疫情 ， 七八月份又有美国对我国芯片产业的制裁 。 好在 ， 我们万众一心 ， 众志成城 ， 扫清了新冠的阴霾 。 但芯片产业依然被美国卡住脖子 ， 自主化的道路上荆棘重重 。
我国芯片产业弱在制造 ， 制造方面弱在光刻机 。从华为芯片断供事件可以看出来 ， 我国芯片产业的弱项在于制造 ， 制造方面的弱项在于光刻机 。 由于国内光刻机达不到精度要求 ， 国外顶尖光刻机又被我国限制出口 ， 我们只能依赖台湾和国外企业 ， 然而当台积电、三星电子、海力士等代工企业停止代工后 ， 华为高端手机业务面临崩盘 。 同时我国最好的芯片代工企业中芯国际也被美国列为制裁名单 ， 我国芯片产业面临着前所未有的寒冬 ， 2025年芯片自给率70%的计划很可能难以实现 。
在这种情况下 ， 南京大学宣布攻克新的光刻技术 。现在 ， 全球集成电路已经推进到3到5纳米的技术节点 ， 而其中的极深紫外光刻工艺却成为我国所面临的“掐脖子技术”之一 。但没想到的是 ， 近日南京大学实现突破平面光刻限制的超高密度均匀纳米线堆叠生长集成技术 。这项技术是由南京大学电子科学与工程学院余林蔚教授和王军转副教授攻克的 ， 他们提出利用团队基础原创的平面IPSLS纳米线生长模式 ， 在非晶氮化硅（SiN）/氧化硅（SiO）叠层刻蚀侧壁上 ， 通过选择性刻蚀形成高密度引导台阶 ， 平行生长制备出尺寸均匀的超高密度（间隔40 nm）晶硅纳米线阵列 。这项技术有望应用于利用较低光刻节点技术（例如N65~90纳米）实现等效于N5节点技术的更高器件集成密度 。这项技术的攻克解决了我国极深紫外光刻工艺等卡脖子的技术难题 ， 对我国芯片自主起到了非常好的推动作用 ， 希望能够尽快实现商业化 ， 助力我国2025实现芯片国产70%自给率的国家大计 。
据悉 ， 该项技术的攻克来源于博士生胡瑞金同学 。 年少有为 ， 真可谓是国家的栋梁之才 。 有这样的青年俊才在默默科研 ， 潜心攻关 ， 芯片等卡脖子问题一定会得到解决甚至成为世界一流 ， 改变现有芯片产业的格局 。
值得注意的是 ， 这项技术的攻克背后有华为的鼎力支持 ， 相关技术成果已经通过与华为公司合作共同提交申请了多项技术专利 。国有华为 ， 国之大幸！
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