金十数据|中芯国际宣布：N+1工艺有望年底小批量试产，“国家队”助力下
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据9月21日最新报道 ， 在部分客户问及中芯国际N+1、N+2等先进工艺的芯片量产进展时 ， 该司对此表示 ， 第二代FinFETN+1已进入客户导入阶段 ， 预计有望在2020年底实现小批量试产 。 根据业界此前的说法 ， 目前中芯国际全力“攻坚”的N+1、N+2工艺 ， 将是对标台积电7nm芯片的重要业务 。
今年3月 ， 中芯国际正式对外界解开了其N+1、N+2工艺项目的“神秘面纱” 。 根据报道 ， 中芯国际相关人士详细解释道 ， N+1其实是该司内部对该项目的“代称” ， 在性能上与台积电等推进的7nm工艺还存在一定距离 ， 但就功耗、稳定性方面来说 ， N+1可以与7nm相媲美 。
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据此 ， 业界认为中芯国际的N+1可以说成是“低配版”的7nm工艺 ， 性能上类似于台积电、三星的10nm 。 按照这家中国芯片制造商的想法 ， 通过大力推进N+1项目 ， 既可以令其暂时减轻远远落后于台积电的压力 ， 也可以凭借“低成本”的巨大优势 ， 率先拿下高端芯片市场的一部分份额 。
要知道 ， 自从美国发布新规之后 ， 中芯国际就被外界视为华为“破局”的重要合作伙伴 。 今年年初 ， 华为将14nm芯片订单交由中芯国际 ， 而华为海思也一举成为其最大客户 。
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【金十数据|中芯国际宣布：N+1工艺有望年底小批量试产，“国家队”助力下】早在今年4月 ， 中芯国际就完成了N+1工艺的客户介绍和产品认证步骤 ， 流片阶段也于去年年末顺利完工 。 至于因美国方面干预而迟迟没有“到手”的EUV光刻机 ， 中芯国际也表示 ， 当前正在进行的N+1和N+2项目暂且用不到这个设备 。
不过 ， 中科院日前的一则举动 ， 无疑将进一步缓解中芯国际“没有光刻机”以及“造不出高端芯片”的困境 。 9月16日当天 ， 国家队选手——中科院释放出“重要信号” ， 接下来将跑步入场 ， 聚焦关键的核心技术 ， 解决我国光刻机、高端芯片等方面的生产难题 。
文|廖力思题|徐晓冰图|饶建宁审|程远
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