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新智造|业界首颗高于160层的3D NAND闪存，明年四月开始量产



新智造|业界首颗高于160层的3D NAND闪存，明年四月开始量产
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采用双堆栈技术 ， 三星第七代V NAND闪存可达176层 。
作者 | 吴优
根据韩媒报道 ， 三星在下一代闪存芯片的开发中取得重大进展 ， 第七代V NAND闪存芯片将达到176层 ， 并将于明年4月实现量产 。 这将是业界首个高于160层的高级别的NAND闪存芯片 ， 三星将因此再次拉开与竞争对手的技术差距 ， 维持自2002年以来一直在全球NAND闪存市场中排名第一的地位 。
相比于上一代闪存 ， 第七代闪存在堆栈上取得明显的进步 。 三星的第六代NAND闪存是128层 ， 于今年6月开始量产 ， 而第七代闪存将达到176层 ， 尽管并没有达到其最初计划的192层 ， 但依然有着明显的进步 。
据悉 ， 第七代NAND闪存采用了“双堆栈”技术 ， 这是一种可以将通孔分成两部分的 ， 以便电流通过电路的方法 。 过去的单堆栈只能有一部分通孔 ， 随着堆栈层数的增多 ， 工艺也随之改进 。
今年6月 ， 三星宣布将投资约9万亿韩元在位于韩国京畿道平泽工厂的2号线建设新的NAND闪存芯片生产设施 ， 以扩大NAND闪存的生产线 ， 并预计该设施将于2021年下半年投入运营 。 三星表示 ， 将在新地点大规模生产尖端NAND存储芯片 ， 可能比原计划更早开始量产第七代NAND闪存芯片 。
与DRAM相比 ， NAND闪存是更具代表性的存储芯片 ， 且其存储容量随着堆栈数的增加而增加 ， 因此堆栈的层数也被视为NAND闪存的核心竞争力 。
三星一直通过减少集成电路的线宽来提高存储芯片的性能和容量 ， 引领高级NAND闪存的开发 。
自2006年以来 ， 三星一直研究3D NAND闪存 。 在存储芯片的发展过程中 ， 随着存储数据的单元变小 ， 当线宽小于10nm时 ， 便容易受到单元同单元之间的干扰 ， 而3D NAND闪存能够垂直放置在平面中排列的单元 ， 以减少单元间的干扰 。 这是一种通过像公寓一样垂直堆叠现有平面结构NAND来增加存储容量的方法 ， 在业界被称之为3D NAND闪存 ， 被三星独立命名为V NAND 。
2013年 ， 三星成功量产了世界上第一个三维单元结构的V NAND闪存 ， 从而改变了技术范式 。 当时许多人对V NAND闪存的商业化表示怀疑 ， 不过现在所有的存储芯片公司都在展开激烈的3D NAND闪存竞争 。 长江存储的128层3D NAND闪存已于今年宣布量产 ， 英特尔也有今年发布了144层3D NAND闪存 ， SK海力士目前处于176 4D NAND研究阶段 ， 此外还有西部数据（Western Digital）和铠侠（Kioxia）等公司也在竞争之列 。
在第一代（24层）V NAND闪存商业化之后 ， 三星持续增加堆栈层 ， 目前已经发展到第二代（32层）、第三代（48层）、第四代（64/72层）、第五代（92/96层）和第六代（128层） 。 通常更新一代 ， 需要1到2年时间 。
三星于去年8月完成128层V NAND闪存的开发 ， 并实现量产 。 当时 ， 三星宣布已经向全球PC公司提供了基于第六代NAND闪存的企业PC固态驱动器（SSD） 。
【新智造|业界首颗高于160层的3D NAND闪存，明年四月开始量产】在NAND闪存市场上 ， 三星一直业界领先 。去年 ， 三星以165.17亿美元的销售额占据全球市场的35.9% ， 在NAND闪存市场中排名第一 ， 持续自2002年以来的领先地位 。


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