器件|SiC将会是分立器件和模块共存的市场( 二 )
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拥有三项优势
产品方面 ， 安森美半导体提供大范围的SiC MOSFET和SiC二极管 ， 并推出多代产品 。SiC二极管方面 ， 包括650/1200V/1700V二极管产品组合；SiC MOSFET则拥有650/750/900/1200/1700V产品 。
那么 ， 这些产品拥有哪些特性？王利民为采访人员介绍表示 ， 安森美半导体的SiC产品方案具备领先的可靠性、高性价比、满足汽车规范这三个重要特性：
1、领先的可靠性：在H3TRB测试（高温度/湿度/高偏置电压）里 ， 安森美半导体的SiC二极管可以通过1000小时的可靠性测试 。实际测试中 ， 还会延长到2000小时 ， 大幅领先于市场的可靠性水平 ， 对比竞争对手有着明显的优势 。
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王利民强调 ， 事实上 ， 安森美半导体曾经是JEDEC可靠性委员会的成员 ， 宽禁带可靠性标准委员会现已并入JEDEC标准委员会 ， 安森美半导体正是可靠性标准委员会的专家之一 。
2、高性价比：通过对比SiC MOSFET、Si MOSFET、Si IGBT ， 不难发现在同样达到1200V击穿电压情况下 ， 硅器件的面积甚至相差100倍 ， 硅基IGBT开关损耗相差10倍 。实际上 ， 在替换过程中 ， 硅器件性能还要差很多 。
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对于SiC ， 业界很多人都对会被其高昂的单器件价格“劝退” 。然而事实上 ， 业界越来越讲求整体方案性能 ， 通过计算不难发现 ， 同样的电源如果替换成SiC方案 ， 其体积、功率密度和整体的BOM都会得到优化 。
许多系统工程师也逐渐认识到减少尺寸和冷却要求的重要性 ， 在同样的能源和硬件成本下 ， 他们希望拥有更多的器件以及更广泛的应用设备 ， 例如更高的电压和电流额定值以及更多的封装选项 。
之前 ， 21ic家也多次强调 ， “系统级”成本效益这一概念 ， 且不说在整体上的成本优化 ，SiC的低发热的寿命延长事实上也是降低成本的一环 。
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3、车规级：众所周知 ， 汽车对于电源是一大考验 ， 不仅要求非常高的稳定性 ， 对温度和参数上也要求严格 。安森美半导体的MOSFET涵盖了市面上所有主流的SiC MOSFET ， 包括20mΩ、40mΩ、80mΩ、160mΩ ， TO247封装 ， TO247的4条腿以及D2PARK的7条腿封装 ， 并且所有的产品都提供工业规范和汽车规范 。值得一提的是 ， 900V的SiC MOSFET拥有20mΩ、60mΩ这种市面的主流规格 。
事实上 ， 需要冲击电流也是SiC二极管的一个痛点 ， 这是因为 ， 应用中无论是Boost还是PFC都需要扛住浪涌电流 。针对这一点 ， 安森美的SiC则拥有一处贴心的设计 ， 以1200V 15A的碳化硅二极管为例 ， 在毫秒级安森美半导体的的碳化硅二极管有10倍的过滤 ， 在微秒级有50倍的过滤 。
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另外 ， 行业内很多SiC二极管并不提供雪崩的量 ， 以安森美的1200V 15A SiC二极管为例 ， 雪崩电流接近200A（3500A/c㎡） 。
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