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嵌入式资讯精选|兆易创新发布GD32E5系列MCU，基于Cortex-33内核！


北京联盟_本文原题：兆易创新发布GD32E5系列MCU ， 基于Cortex-33内核！
兆易创新今日正式发布基于全新Arm? Cortex?-M33内核的GD32E5系列高性能微控制器 。这系列MCU采用台积电低功耗40纳米(40nm)嵌入式闪存工艺构建 ， 具备业界领先的处理能力、功耗效率、连接特性和更经济的开发成本 ， 进一步推动嵌入式开发向高精度工业控制领域扩展 ， 解决数字电源、电机变频、测量仪器、混合信号处理、高端消费类应用等多种功能集成和工作负载需求 。
GD32E5产品组合提供了3个通用系列和1个专用系列 ， 4种封装类型23个型号选择 ， 目前已经开始提供样片和开发板卡 ， 并将于下个月正式投入量产 。
嵌入式资讯精选|兆易创新发布GD32E5系列MCU，基于Cortex-33内核！
本文插图

GD32E5系列Cortex?-M33内核通用MCU产品组合
全新内核和硬件加速器提高处理效能
GD32E5系列基于最新Armv8-M架构的Cortex?-M33内核 ，处理器主频最高可达180MHz ， 内置硬件乘/除法器并提供了完整的DSP指令集和单精度浮点运算单元(FPU) ， 还配备了 全新的硬件三角函数加速器(TMU) ， 可支持矢量、正余弦、指数、平方根、常用对数等数学三角运算 ， 以减轻CPU负担并提高处理效率 ， 从而推动以数字信号处理为中心的高级计算应用 。 最高工作性能可达244DMIPS ， CoreMark?测试可达547分 。 同主频下的代码执行效率相比市场Cortex?-M4产品提升了10%-20% ， 相比Cortex?-M23产品的性能提升超过40% 。
GD32E5配备了128KB到512KB的Flash及80KB到128KB的SRAM ， 双bank嵌入式闪存支持读写同步操作 ， 还内置了用于任务隔离的内存保护单元(MPU)用于提高系统可靠性 。 芯片采用1.7V-3.6V供电 ， I/O口可承受5V电平 。 内置的电源管理单元更加优化并 提供了5种全新省电模式 ， 最高主频所有外设全速运行模式下的工作电流仅为332μA/MHz ， 相对于GD32F4产品下降了32% ， 实现了极佳的能效比 。 在电池供电时的待机电流最低仅为0.7μA 。
出色的高精度定时器和混合信号集成
GD32E5内置了 全新的超高精度定时器(SHRTimer) 。 它内部拥有5个独立的计数器 ， 可以产生5组2路带死区互补输出的PWM控制信号 ， 频率最高可达11.5GHz ，分辨率最快仅为90ps ， 与其它外设丰富的联动机制更可以产生开关电源、电机控制等各种实际需要的高频波形 。
GD32E5的模拟部件也采用了高度集成化的全新设计 。 为提供准确的模拟测量 ， 芯片集成了3个12位2.6M SPS采样率的高性能ADC ，支持全差分输入 ， 配备多达21个可复用通道 ， 并支持16位硬件过采样滤波功能和分辨率可配置 ， 实际有效位数和线性度也比市场同类产品有明显提升 。 此外还提供了2个12位DAC ， 3个传播延迟为22ns的超快速比较器 。
丰富的外设接口全面助力工业互联网
GD32E5引入了全新的USB 2.0 OTG双功能控制器 ， 内置的硬件PHY为实现设计灵活性提供了多种工作速率 ， 包括480Mbps的高速(HS)模式和12Mbps 的全速(FS)模式 。 并支持Device、HOST、OTG等工作方式 ， 配合独立的480MHz PLL支持无晶振 (Crystal-less)设计全面降低使用成本 。 目前正在通过相关认证 ， 并确保符合USB-IF的设计标准要求 。
GD32E5为实现广泛的工控和互联应用配备了更为丰富的标准外设资源：多达9个16位通用定时器、2个16位高级矢量控制定时器、1个32位通用定时器、2个16位基本定时器和2个多通道DMA控制器 。 通讯接口则多达6个UART、3个SPI、3个I2C、2个I2S和1个SDIO 。 还集成了3个CAN-FD (flexible data-rate) 接口用于CAN总线网络 ， 最高速率可达6Mbps 。 10/100M自适应的快速以太网控制器(MAC) 更可协助开发以太网连接功能的实时应用 。
全新MCU具备了6KV静电防护(ESD)能力 ， 并采用了时钟展频技术来降低对于高速数字系统的电磁干扰(EMI) ，全部符合工业级高可靠性和温度标准 。 GD32E5系列MCU包含了GD32E503、GD32E505、GD32E507和GD32EPRT等4个产品系列、23个型号选择 。 各系列软件和引脚完美兼容 ， 优异的灵活性充分释放Cortex?-M33内核的卓越潜能 。


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