台积电|两条好消息：台积电突破2nm制程，中科院突破5nm光刻技术芯片|光刻机

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前言国内半导体的发展，关系千万家，毕竟生活在科技时代，周边的电脑、手机，哪一样能离得开半导体？但是目前，国内的半导体还在发展，没有达到自主研发、自主生产的水平，许多关键的技术还掌握在美国人的手里。
美国总统特朗普这也就是为什么特朗普对华为毫不手软的原因，人家有这个资本，但是也因此推动了中国半导体的发展。
最近国内又传来了好消息，而且相当重磅，让我们来看看到底是哪些消息。
一、台积电突破2nm的制程台积电这家公司很了不起，现在最近的5G手机要用到的SOC（集成）芯片，只有台积电的5nm的工艺能够做到，像三星、英特尔都差远了。但实际上，三家公司用的设备都是一模一样，都是荷兰阿斯麦的顶尖光刻机。
荷兰阿斯麦光刻机任正非说过，选择我不选择他，这就是核心竞争力，台积电的核心竞争力并并不在于设备，而是在于制程，像台积电、三星、英特尔用的都是顶级的EUV光刻机，极限大概是3nm左右。
芯片就是一块集成的电路，电路上就是供电子通过的通道（导线）和晶体管，目前内导线是铜，一个铜原子的直径就2nm多一点，所以极限就是2~3nm之间（还达不到2nm）。但是最近台积电竟然突破了2nm ，太厉害了。
台积电创始人张忠谋台积电正式宣布，已经找到了2nm芯片的制造方法，名为切入环绕式栅极技术（gate-all-around ，简称 GAA）技术的路径。具体的技术没有透露，但是以小编专业的角度来看，应该不是使用铜作为内导线，可能是钴。
二、突破5nm光刻技术台积电实在是太快了，不过的确是好消息，因为台积电跟华为走得很近，目前台积电正在跟美国政府交涉，突破2nm技术，无疑是增加了底牌。同时国内的底牌也增加了，中国科学院正式宣布突破5nm光刻技术。
中科院苏州纳米所研究员张子晹与国家纳米中心刘前合作，研发出来一种新型超高精度的5nm芯片直写技术。具体的做法是在无机钛膜光刻胶上采用双激光束交叠技术。
以小编专业的角度来看，中科院取得的突破跟台积电是一样的，都是在芯片的制程上取得了突破，而不是光刻机设备制造上的突破。
要想真正制造出5nm还得相应光源的光刻机，毕竟光源波长和芯片内导线才是决定芯片内部器件大小的根本原因，还是要用光刻机配合中科院的技术才行，比如中芯国际从荷兰阿斯麦买过来的那台DUV光刻机（极限5nm）。
但是好消息是，此前上海微电子目前在ArF光源的光刻机上取得突破了突破，这是“想睡觉就有人递枕头”啊
总结自从2018年以后，特朗普越是打压，国内发展的势头就越来越大，这次直接在制程上“两开花”上微光刻机和中科院光刻技术；台积电本来就很强，要想保住这最后的技术，成为世界工厂，而不是当苹果的御用工厂，这是必要的。
现在最重要的就是光刻机要在光源上取得突破，现在最先进的光源就是极紫外光，波长短，而且稳定；如果国内能在芯片的材质上取得进步会更好，应用材料才是真正的技术，目前石墨烯可以作为芯片的基底，但是内导线上如果有突破会更好。