行业互联网|三星发现全新半导体材料：有望用于内存、闪存领域
三星电子周一宣布 ， 发现了一种全新半导体材料"无定形氮化硼(amorphousboronnitride) ， 简称a-BN" ， 并表示有望推动下一代半导体芯片的加速发展 。
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【行业互联网|三星发现全新半导体材料：有望用于内存、闪存领域】
近年来 ， 三星SAIT一直在研究二维（2D）材料具有单原子层的晶体材料的研究和开发 。 具体而言 ， 该研究所一直致力于石墨烯的研究和开发 ， 并在该领域取得了突破性的研究成果 ， 例如开发新的石墨烯晶体管以及生产大面积单晶晶片的新方法 。 石墨烯 。 除了研究和开发石墨烯外 ， SAIT还致力于加速材料的商业化 。
"为了增强石墨烯与基于硅的半导体工艺的兼容性 ， 应在低于400°C的温度下在半导体衬底上进行晶圆级石墨烯生长 。 "SAIT的石墨烯项目负责人兼首席研究员ShinHyeon-JinShin表示 。 "我们还在不断努力 ， 将石墨烯的应用范围扩展到半导体以外的领域 。 "
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新发现的材料称为无定形氮化硼（a-BN） ， 由具有非晶分子结构的硼和氮原子组成 。 尽管非晶态氮化硼衍生自白色石墨烯 ， 其中包括以六边形结构排列的硼和氮原子 ， 但实际上a-BN的分子结构使其与白色石墨烯具有独特的区别 。
无定形氮化硼具有1.78的同类最佳的超低介电常数 ， 具有强大的电气和机械性能 ， 可以用作互连隔离材料以最大程度地减少电干扰 ， 还证明了该材料可以在仅400°C的低温下以晶圆级生长 。 因此 ， 预计无定形氮化硼将广泛应用于诸如DRAM和NAND解决方案的半导体 ， 尤其是在用于大型服务器的下一代存储器解决方案中 。
IT之家了解到 ， SAIT副总裁兼无机材料实验室负责人ParkSeongjunPark表示："最近 ， 人们对2D材料及其衍生的新材料的兴趣不断增加 。 但是 ， 将材料应用于现有的半导体工艺仍然存在许多挑战 ， 我们将继续开发新材料来引领半导体范式的转变 。 "
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