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[光刻机]明年上海微电交付首台28nm国产光刻机，是飞跃发展还是任重道远？( 二 )



同时制程工艺接近3nm之后 。 现有的FinFET鳍片结构将会达到物理极限 。 在3nm制程工艺中还必须使用最新的GAA技术 。 才能解决晶体管过小导致的电容问题 ， GAA技术也是晶体管从2D结构发展到3D结构的一个重要技术 ， 也是目前制程工艺发展的另外一个技术难点 。 因此如果想要在几年内实现赶超台积电的先进制程工艺 ， 就必须提前对GAA技术进行预研和布局 。 此前IBM就在5nm制程工艺下使用了GAA技术 ， 使同制程工艺的芯片晶体管密度大幅提升 ， 性能也做到了大幅提升 。

因此就目前来看 ， 上海微电子即将交付28nm光刻机 。 虽然也完成了非常了不起的飞跃式发展 。 但是和国际领先水平依然有较大差距 。 并且目前中芯国际的N+1制程工艺 。 依然使用是ASML进口光刻机 。 因此目前的光刻机和晶圆代工方面 。 依然需要5到10年的发展才能追上国际领先水平 。 并且要攻克很多的技术难关 。 但无论如何上海微电子的28nm国产光刻机依然是走出了关键且艰难的一步 。 为我国的晶圆代工产业不受制于人付出了巨大努力 。 非常值得给研发人员点赞 。


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