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「天极网」台积电正式公布3nm工艺：延续FinFET工艺

随着台积电的5nm工艺进入量产阶段 ， 更先进的3nm工艺也开始提上日程 。 随着3nm工艺的临近 ， 人类正在逼近硅基半导体的极限 ， 如果不能解决一系列难题 ， 3nm工艺很有可能是未来CPU等芯片的极限 。 虽然台积电有信心将工艺推进到2nm甚至1nm ， 但相关技术并没有走出实验室呢 。
「天极网」台积电正式公布3nm工艺：延续FinFET工艺
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在台积电4月17日的财报会议上 ， 台积电首次公布3nm工艺详情 ， 预计在2022年下半年量产 。 台积电原计划4月29日在美国举行技术论坛上公布3nm工艺详情 ， 不过该技术会议已经延期到8月份 ， 台积电就在Q1财报会议上提前公布3nm工艺的技术信息及进度 。
【「天极网」台积电正式公布3nm工艺：延续FinFET工艺】台积电表示 ， 3nm工艺不受疫情影响 ， 研发进度符合预期 ， 预计在2021年进入风险试产阶段 ， 2022年下半年量产 。 更重要的是台积电评估多种选择后认为 ， FinFET工艺的成本及能效比GAA更好 ， 所以第一代3nm工艺还将继续使用FinFET晶体管技术 。
台积电3nm节点的最大对手三星同样押注3nm节点 ， 进度及技术选择都很激进 ， 三星将淘汰FinFET晶体管 ， 直接使用GAA环绕栅极晶体管 。 根据三星的信息 ， 相较于7nmFinFET工艺 ， 3nm工艺可以减少50%能耗、增加30%性能 。 三星计划2021年量产 ， 疫情影响已推迟到2022年 ， 但没有明确具体时间 。
早前媒体报道称 ， 台积电受疫情影响将会降低2020年的资本支出 ， 但台积电在财报说明会上表示 ， 2020年资本支出计划不变 ， 预计支出在150至160亿美元之间 。 台积电总裁魏哲家表示 ， 5G及高效能运算(HPC)在未来几年对先进制程的需求强劲 ， 疫情只影响短期业务 ， 布局中长期产能不需要改变资本支出计划 。
台积电持续推进先进制程产能扩张 ， 魏哲家表示 ， 台积电7nm需求仍然十分强劲 ， 订单充足 ， 7nm优化后的6nm制程将如期在年底量产 ， 6nm与7nm加强版相较会增加1层EUV(极紫外光刻)光罩层 。
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针对5nm生产进度 ， 魏哲家表示 ， 5nm已准备好进入量产 ， 5nm制程增加更多的EUV光罩层 ， 下半年会开始进入量产 ， 为客户生产智能手机及HPC等芯片 ， 今年营收占比达10%预估不变 。


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