■三星首推EUV工艺DRAM内存，2030有望超越台积电？
【■三星首推EUV工艺DRAM内存，2030有望超越台积电？】三星首推EUV工艺DRAM内存 ， 2030有望超越台积电？
华强电子网消息 三星电子（Samsung Electronics）今天宣布 ， 已经出货100万业界首款10nm EUV级（D1x）DDR4 DRAM模组 。并完成全球客户评估 ， 这为今后高端PC、手机、企业级服务器等应用领域开启新大门 。
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EUV（极紫外光刻）工艺是目前世界上最先进的芯片制造工艺 ， EUV光刻机也被认为是完成7nm以下制程的重要途径 。而这次三星率先将EUV工艺用到DRAM内存颗粒的生产上 ， 可以在精度更高的光刻中减少多次图案化的重复步骤 ， 并进一步提升产能 。
三星表示 ， 将从第四代10nm级（D1a）DRAM或高端级14nm级DRAM开始全面导入EUV ， 明年基于D1a大规模量产DDR5和LPDDR5内存芯片 ， 预计会使12英寸晶圆的生产率翻番 。
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虽然目前支持DDR5内存的PC平台还没有出现 ， 不过内存芯片却在各大存储器大厂的推动下逐渐开始接近上市 。三星量产的第一代EUV DDR5 DRAM单芯片容量为16Gb（2GB） ， 地点是平泽市的V2线 。
除了10nmEUV工艺的存储芯片外 ， 三星也正在推进5nm及以下制程的EUV工艺 。外媒报道称 ， 三星已经从半导体设备生产商那里订购了5nm工艺生产的相关设备 ， 目前已经开始在华城V1工厂内建立了一条5nm的晶圆代工生产线 。据悉相关的设备组装需要两个多月 ， 按照进度来看 ， 今年6月份以前 ， 三星应该能够安装完所有的设备 。
如无意外 ， 三星将在今年年底进行5nm EUV工艺的量产 。对比三星的竞争对手台积电 ， 台积电已经宣布将在最早4月份进行5nm EUV工艺的量产 ， 所以三星与台积电之间的差距应该在半年左右 。
三星半导体曾公开表示 ， 希望在2030年之前超越台积电 ， 成为全球晶圆半导体业务的领导者 。据悉在三星5nm正式量产后 ， 将负责高通下一代5nm旗舰芯片和X60 5G基带芯片的生产 。（校对：Hobby）
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