【】三星率先为DRAM芯片导入EUV:明年将用于DDR5/LPDDR5大规模量产

当前在芯片制造中最先进的EUV(极紫外光刻)工艺被三星率先用到了DRAM内存颗粒的生产中 。
这家韩国巨头今日宣布 , 已经出货100万第一代10nm EUV级(D1x)DDR4 DRAM模组 , 并完成全球客户评估 , 这为今后高端PC、手机、企业级服务器等应用领域开启新大门 。
得益于EUV技术 , 可以在精度更高的光刻中减少多次图案化的重复步骤 , 并进一步提升产能 。
三星表示 , 将从第四代10nm级(D1a)DRAM或高端级14nm级DRAM开始全面导入EUV , 明年基于D1a大规模量产DDR5和LPDDR5内存芯片 , 预计会使12英寸晶圆的生产率翻番 。
不过 , 目前支持DDR5的PC平台尚未亮相 , LPDDR5倒是已经逐渐铺开 。三星量产的第一代EUV DDR5 DRAM单芯片容量为16Gb(2GB) , 地点是平泽市的V2线 。
根据三星此前的预判 , EUV将帮助公司至少推进到3nm尺度 。
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