「与非网」恒烁半导体推首款50nm NORFlash，助力国产迎接IoT时代真正爆发
与非网 4 月 9 日讯 ， 近日 ， 恒烁半导体推出了第一款面向物联网应用的 50nm 128Mb 高速低功耗 NORFlash 存储芯片 ， 芯片尺寸为业界最小 ， 具有很强的成本和性能优势 ， 力争在该市场中站稳脚跟 ， 迎接 IoT 时代的真正爆发 。
作为国之重器 ， 存储器承担着尽早实现国产替代的重任 。 在众多半导体存储器中 ， 市场规模最大的是 DRAM 和 NAND Flash ， 两者合计占比达到 98%左右 。 而 NOR Flash的市场规模曾一度随着功能手机的消亡而逐渐降低 ， 占比不足 1% 。 但值得一提的是 ， 近年来随着 IoT、5G、TWS、AMOLED 等下游市场的持续推动 ， NOR Flash 的市场空间正逐渐恢复 ， 并再次获得业内厂商的重视 。
NOR Flash 市场的复苏无疑为国内 IC 厂商带来了新的希望 ， 其中在这一领域布局多年的合肥恒烁半导体便紧抓市场机遇 ， 并于近日推出第一款面向物联网应用的 50nm 128Mb 高速低功耗 NOR Flash 存储芯片 ， 芯片尺寸为业界最小 ， 具有很强的成本和性能优势 ， 力争在该市场中站稳脚跟 ， 迎接 IoT 时代的真正爆发 。
而受益于 IoT 市场的爆发 ， 从 2019 年下半年开始 ， NOR Flash 的需求量暴增 ， 甚至一度出现缺货局面 。 在此背景和趋势下 ， 恒烁半导体基于公司在 65nm NOR Flash 系列产品开发过程中积累了大量的经验与技术 ， 顺势而为提出并立项了研发更为先进的 50nm NOR Flash 系列产品 。
据了解 ， 恒烁 50nm NOR Flash 项目的产品采用目前业界最先进 / 尺寸最小的 50nm NOR Flash 工艺 ， 具有芯片尺寸小、功耗低、速度快、成本低等特点 。 而该产品的创新点主要体现在尺寸和功耗两个方面 。
从尺寸上来看 ， 由于恒烁 NOR Flash 存储芯片采用新的 50nm 工艺技术 ， 在优化模拟模块设计和电路布局的同时 ， 使得芯片的单位存储单元面积更小；此外在功耗方面 ， 恒烁针对电路设计上的优化 ， 使得其研发的 NOR Flash 芯片具有更低的功耗 ， 以及更快的速度 。
实际上从目前来看 ， 行业内主流 NOR Flash 产品的工艺节点仍为 65nm ， 而在 2019 年 ， 华邦推出了 58nm 系列产品 ， 旺宏与兆易创新推出了 55nm 系列产品 。 因此 ， 恒烁半导体基于未来 5 年 IoT 市场对于 NOR Flash 激增的市场需求 ， 研发出更为先进技术工艺节点的 50nm 系列产品 ， 从产品差异化路线出发 ， 抢占更多市场份额 。
为更好地满足 IoT 市场需求 ， 恒烁 50nm NOR Flash 产品主要从三个方面进行了优化：首先 ， 众多 TWS 模块和可穿戴产品由于面积小、厚度薄的特点 ， 需要 1.5x1.5mm DFN 小型封装或需要采用多芯片叠封形式 ， 这便要求 NOR Flash 的尺寸尽量要小 ， 目前主流的 NOR Flash 都是采用 65nm 制程 ， 而采用更先进的 50nm 制程可减少 20%-30%的芯片尺寸 ， 从而解决芯片尺寸过大的难题；其次 ， 大部分 IoT 应用具备使用时间长和待机时间长的特点 ， 因此迫切需要低功耗的 NOR Flash；最后 ， 常规的 NOR Flash 通常有 3.3V 和 1.8V 这两种电压等级 ， 而电池供电的终端设备需要在电池电力下降的时候仍然可以工作 ， 这便催生出对 1.6V-3.3V 宽电压 NOR Flash 的需求 。
本文插图
目前 ， 恒烁团队第一款 50nm 128MbNORFlash 芯片已在武汉新芯（XMC）实现量产 ， 预计今年第二季开始接受客户订单 。 恒烁正在努力研发 50nm 其他容量的产品 ， 力争 2021 年完成全部 50nm 产品优化和产品定型 ， 实现高速、低功耗全系列产品量产 ， 全面替代 65nm 产品 。
恒烁半导体公司下设两个产品事业部：NOR Flash 闪存事业部和存算一体 AI 事业部 。 其中 NOR Flash 闪存事业部仅用一年时间即完成第一款 NOR Flash 的设计研发和流片 ， 2016 年开始量产销售 ， 向全球客户提供通用 SPI 接口的 NOR Flash 。
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