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##详解MOS管及其结构原理图( 二 )



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VT：开启电压 ， 在 VDS 作
用下开始导电时的 VGS°
VT=VGS—VDS
##详解MOS管及其结构原理图
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（4）VGS》0 且 VDS 增大到一定值后 ， 靠近漏极的沟道被夹断 ， 形成夹断区 。
VDS↑→ID 不变
mos 管三个极分别是什么及判定方法
mos 管的三个极分别是：G（栅极） ， D（漏极）s（源及） ， 要求栅极和源及之间电压大于某一特定值 ， 漏极和源及才能导通 。
##详解MOS管及其结构原理图
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1. 判断栅极 G
MOS 驱动器主要起波形整形和加强驱动的作用：假如 MOS 管的 G 信号波形不够陡峭 ， 在点评切换阶段会造成大量电能损耗其副作用是降低电路转换效率 ， MOS 管发烧严峻 ， 易热损坏 MOS 管 GS 间存在一定电容 ， 假如 G 信号驱动能力不够 ， 将严峻影响波形跳变的时间 。
将 G-S 极短路 ， 选择万用表的 R×1 档 ， 黑表笔接 S 极 ， 红表笔接 D 极 ， 阻值应为几欧至十几欧 。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无限大 ， 并且交换表笔后仍为无限大 ， 则证实此脚为 G 极 ， 由于它和另外两个管脚是绝缘的 。
2. 判断源极 S、漏极 D
将万用表拨至 R×1k 档分别丈量三个管脚之间的电阻 。用交换表笔法测两次电阻 ， 其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻 ， 此时黑表笔的是 S 极 ， 红表笔接 D 极 。因为测试前提不同 ， 测出的 RDS（on）值比手册中给出的典型值要高一些 。
3. 丈量漏 - 源通态电阻 RDS（on）
在源 - 漏之间有一个 PN 结 ， 因此根据 PN 结正、反向电阻存在差异 ， 可识别 S 极与 D 极 。例如用 500 型万用表 R×1 档实测一只 IRFPC50 型 VMOS 管 ， RDS（on）=3.2W ， 大于 0.58W（典型值） 。
测试步骤：
MOS 管的检测主要是判断 MOS 管漏电、短路、断路、放大 。
其步骤如下：
假如有阻值没被测 MOS 管有漏电现象 。
1、把连接栅极和源极的电阻移开 ， 万用表红黑笔不变 ， 假如移开电阻后表针慢慢逐步退回到高阻或无限大 ， 则 MOS 管漏电 ， 不变则完好
2、然后一根导线把 MOS 管的栅极和源极连接起来 ， 假如指针立刻返回无限大 ， 则 MOS 完好 。
3、把红笔接到 MOS 的源极 S 上 ， 黑笔接到 MOS 管的漏极上 ， 好的表针指示应该是无限大 。
4、用一只 100KΩ－200KΩ的电阻连在栅极和漏极上 ， 然后把红笔接到 MOS 的源极 S 上 ， 黑笔接到 MOS 管的漏极上 ， 这时表针指示的值一般是 0 ， 这时是下电荷通过这个电阻对 MOS 管的栅极充电 ， 产生栅极电场 ， 因为电场产生导致导电沟道致使漏极和源极导通 ， 故万用表指针偏转 ， 偏转的角度大 ， 放电性越好 。
MOS 管（场效应管）的应用领域
1：工业领域、步进马达驱动、电钻工具、工业开关电源
2：新能源领域、光伏逆变、充电桩、无人机
3：交通运输领域、车载逆变器、汽车 HID 安定器、电动自行车
4：绿色照明领域、CCFL 节能灯、LED 照明电源、金卤灯镇流器
MOS 管降压电路
图中 Q27 是 N 沟道 MOS 管 ， U22A 的 1 脚输出高电平时 Q27 导通 ， 将 VCC—DDR 内存电压降压 ， 得到 1.2V—HT 总线供电 ， 而 U22A 的 1 脚输出低电平时 Q27 截止 ， 1.2V_HT 总线电压为 0V 。
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