「与非网」USB应用开发接口保护方案( 二 )


「与非网」USB应用开发接口保护方案
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图4:USB端口的双重保护
希望采用单通道保护元件的开发人员可以使用WE-VE系列静电放电抑制器 。 这些抑制器总是必须从D+/D-连接到地 。 还要连接其它一些元件 , 如图5所示 。
「与非网」USB应用开发接口保护方案
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【「与非网」USB应用开发接口保护方案】图5:采用单通道元件的保护机制
保护元件的选择
静电放电(ESD)保护的定义为:依照EN61000-4-2标准防止ESD脉冲 , 依照EN61000-4-5防止浪涌脉冲 , 以及依照EN61000-4-4防止突发(EFT)脉冲 。 瞬态电压抑制器(TVS)二极管必须满足这些功能 。 重要的是:为了保护诸如USB等快速数据线受到过压的破坏 , 应该使用具有低电容特性的TVS和陶瓷ESD抑制器 , 以免USB信号发生失真 。 基于这个原因 , WürthElektronikeiSos公司开发出了专门在这方面作了优化的元件 , 并且在数据线上是不可见的 。 TVS二极管的电容值不到1pF , 电容值最高0.2pF的陶瓷ESD抑制器是保护USB端口的理想选择 。
在EMC兼容设计中应避免风险 。 必须要指出的是 , 干扰会威胁到数据通信的完整性——特别是对于通过USB实现的数据传输而言 。 EMC不是“可有可无” , 或用来满足什么法规和标准 , 而是一种质量指标 。 为了尽可能在设计早期就彻底排除EMC问题 , 业界推出了专门针对快速数据线特殊状态剪裁的元器件 , 它们不仅可以减少开发工作量 , 而且最重要的是可以避免关键的EMC测试结果之后的返工 。


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