电子工程世界TB▲X-H功率MOSFET系列又添新产品，东芝U-MOS
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布 ， 其“U-MOSX-H系列”产品线新增采用其最新一代工艺制造而成的80VN沟道功率MOSFET---TPH2R408QM和TPN19008QM 。 新款MOSFET适用于数据中心和通信基站所用的工业设备的开关电源 。
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U-MOSX-H系列产品示意图
新增产品包括采用表面贴装SOPAdvance封装的“TPH2R408QM”以及采用TSONAdvance封装的“TPN19008QM” 。 产品于今日开始出货 。
由于采用了其最新一代的工艺制造技术 ， 与当前U-MOSⅧ-H系列中的80V产品相比 ， 新款80VU-MOSX-H产品的漏源导通电阻降低了大约40% 。 通过优化器件结构 ， 漏源导通电阻与栅极电荷特性[1]之间的平衡也得到了进一步的改善[2] 。 因此 ， 新产品可提供业界最低[3]功耗 。
东芝正在扩展其降耗型产品线 ， 从而为降低设备功耗提供帮助 。
应用：
?开关电源（高效AC-DC转换器、DC-DC转换器等）
?电机控制设备（电机驱动等）
特性：
?业界最低[3]功耗（通过改善导通电阻与栅极电荷特性[2]之间的平衡）
?业界最低[3]导通电阻：
RDS(ON)=2.43mΩ（最大值）＠VGS=10V（TPH2R40QM）
RDS(ON)=19mΩ（最大值）＠VGS=10V（TPN19008QM）
?高额定通道温度：Tch=175℃
主要规格：
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注释：
[1]总栅极电荷（栅源+栅漏）、栅极开关电荷、输出电荷 。
[2]与TPH4R008NH（U-MOSⅧ-H系列）进行比较 ， TPH2R408QM的漏源导通电阻x总栅极电荷改善约为15%、漏源导通电阻x栅极开关电荷改善约为10%、漏源导通电阻x输出电荷改善约为31% 。
【电子工程世界TB▲X-H功率MOSFET系列又添新产品，东芝U-MOS】[3]截至2019年3月30日 ， 东芝调研 。
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