两颗保护芯片均采用DFN1.9*1.6-6L封装,外围器件数量少,有效节省空间占用 。保护芯片具备独立的放电过流和负载短路保护,同时支持充电过流保护,通过高精度电压检测电路,检测取样电阻上的压降,计算出电池的实际电流 。可根据电池的放电电流,计算适合的取样电阻,为电池提供高精度的过流保护功能 。
保护芯片采用独立的电阻检测电流,能够避免传统保护电路中检测MOS管压降带来的误差,在不同温度下提供一致的过流检测及保护功能,避免高温下MOS管内阻变大造成误保护 。
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电池保护管来自松下,下面是R003电流取样电阻,3mΩ,用于检测电池充放电电流 。
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手机摄像头模组右侧是NFC线圈 。
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手机镜头玻璃也是通过双面胶固定在盖板上 。镜头玻璃主摄开孔,下方两个摄像头由玻璃保护 。50M像素表示手机主摄为5000万像素 。
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NFC天线粘贴在石墨导热贴纸上,石墨导热贴纸帮助手机主板上的芯片散热 。
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主板背面芯片焊接屏蔽罩 。
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下面拆下摄像头,取下主板 。
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主板屏蔽罩与中框之间涂有粉色导热凝胶 。
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四颗摄像头特写,最左侧是5000万像素主摄像头,支持光学防抖,右侧是1600万像素前置摄像头 。
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主板背面一览,对应主摄像头的位置镂空,右侧缺口容纳扬声器 。
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主板正面一览,双SIM卡加TF卡的卡槽占据了相当大一部分面积 。
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距离传感器和前置摄像头补光灯特写 。
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主板正面的屏蔽罩与芯片之间涂有导热凝胶 。
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擦干净导热凝胶,下面是联发科 MT6769V 处理器,Helio G88 。
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手机的eMCP存储器来自三星,型号KM3V6001CA,内置128GB EMMC存储和6GB LPDDR4X运行内存,采用FBGA254封装 。
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PMIC型号为MT6358W,负责电源管理 。
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MT6631N负责手机的WiFi,蓝牙,FM和GPS定位功能 。
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全部拆解完毕,来张全家福 。
充电头网拆解总结传音作为国外的出货巨头,手机针对国外应用环境深度优化,获得用户的广泛喜爱 。Infinix Note 11在配置上也是可圈可点,采用业界主流的6.7寸AMOLED水滴屏,内置5000万像素摄像头以及5000mAh电池支持33W快充,符合手机的定位以及售价,用户也有不错的使用体验 。
充电头网通过拆解了解到,手机内部使用MTK联发科套片方案,内置三星eMCP芯片,内置128GB EMMC存储和6GB LPDDR4X内存 。
值得一提的是,在电池保护板部分,充电头网首次见到此类国产的电池保护芯片应用于高端手机 。Infinix Note 11使用了两颗创芯微电池保护芯片,分别为CM1004-BLD和CM1004-BKD 。CM1004系列锂电保护芯片,是创芯微针对高端手机市场推出的可外接检流电阻,内置高精度电压检测电路和延迟电路的高端产品系列 。
相较于业内主流同类锂电保护产品过充精度提高40%,符合高端手机市场对锂电保护芯片的更高要求,为快速充电状态下的电池提供过流、过充和过放的保护 。创芯微再一次打破日系垄断市场,为芯片国产化助力 。
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